京瓷 AVX 推出了低 ESR C0G/NP0 电介质 RF MLCC
京瓷 AVX 推出了低 ESR C0G/NP0 电介质 RF MLCC（多层陶瓷芯片电容器），该公司表示，“此举受到通信市场对具有可重复性能的小型 RF 电容器的需求的启发”。 京瓷 KGU 系列 NP0 电容器 它...
分类：新品快报 时间：2024/8/29 阅读：358 关键词：多层陶瓷芯片电容器
（KEMET），宣布推出面向汽车级应用的U2J电容器。U2J表面贴装（SMD）平台已通过AEC-Q200汽车认证，相比C0G/NP0可提供两倍以上的电容值。 它还提供优于X7R、X8R和X5R的优异温度性能，使其成为面...
东芝、IBM和AMD采用高电介质金属栅极联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元
据Businesswire网站报道，东芝、IBM和AMD日前宣布，三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0.128平方微米，是世界上最小的实用SRAM单元。该存储单元采用高电介质金属栅极（high-kmetal
据日经BP社报道，日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectricgatefield-effecttransistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压
日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectricgatefield-effecttransistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前
总部位于爱尔兰的专门从事传感器与混合信号CMOS设计的新创公司ChipSensors日前宣布，已研发出了一项新技术能让IC表面感测温度、湿度、病原体以及某些特定气体。该嵌入式传感器技术置于一种传统制造工艺的复杂CMOSIC之上，可以用来创建微型但通
分类：名企新闻 时间：2007/11/28 阅读：871 关键词：电介质
专长传感器与混合讯号CMOS技术的新创爱尔兰无晶圆厂IC设计公司ChipSensors，宣布研发出一种新技术，能让IC的表面感测温度、湿度、病原体(pathogens)与某些特定气体。透过采用一般生产复杂CMOSIC的制程，这种嵌入式感测技术可用来
近日，低K电介质技术的应用材料公司宣布推出AppliedProducer®BLOk™IIPECVD系统。这个全新的系统能够提供先进的阻挡层低K电介质技术，用于亚45纳米技术节点制造速度更快、功耗更小的逻辑芯片。通过超低K介
分类：新品快报 时间：2007/6/14 阅读：374 关键词：电介质
