推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它们经过设计及优化，提供业界能效，优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系...
飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513Z...
飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件能够在便携应用中延长电池寿命，节省线路板空间
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先
2010年2月2日安森美半导体100VN沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案，经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰。应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应
安森美半导体100V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达5
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内导通电阻的新款N沟道MOSFET器件---SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这
Fairchild推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。这两款产品采用具有高热效的2mmx2mmx0.8mmMicro
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444-5的高可靠性(MP)级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFE
凌力尔特推出100V同步N沟道MOSFET驱动器LTC4444MP-5
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444-5的高可靠性(MP)级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFE
分类：新品快报 时间：2008/12/9 阅读：1082 关键词：MOSFET
Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型DC/
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构
分类：新品快报 时间：2007/8/28 阅读：205 关键词：MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利
Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利
