TOSHIBA ON TI ST UTC
ULN2003AG ULN2003A ULN2004 ULN2003
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
LLCC/无引线陶瓷片载
HEMT高电子迁移率
主营：集成电路IC二三*管电容电阻热敏电阻电感效应管等。 ：为您配单！ 产品用途：广泛用于*设备，工业控制，民用产品LED液晶显示器DVD电视机手机电脑鼠标等电子领域。
电话：755-83155589
品牌/商标 KIA 台湾 型号/规格 1N65 IN65 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 看PDF（V） 夹断电压 看PDF（V） 低频跨导 看PDF（μS） *间电容 看PDF（pF） 低频噪声系数 看PDF（dB） 漏*电流 看PDF（mA） 耗散功率 看PDF（mW）
电话：0755-82886580
INFINEON/英飞凌
BSS82C
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
本公司经营电子元器件代理、分销业务已有十年，主要经营二*管、TVS管、三*管、场效应管、IGBT、可控硅、三端稳压、集成电路、电容 、电阻等元器件。其中主要代理、分销FAIRCHILD、EIC...
电话：0755-61333373
品牌:FSC 型号:FDN335N 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） *间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏*电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）供应贴片电容电阻系列,二三*管!**无铅现货！...
电话：0755-83238653
哈里舒
RFP50N06
品牌/商标 哈里舒 型号/规格 RFP50N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 V-FET/V型槽MOS 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60伏（V） 夹断电压 50安（V） 低频跨导 内阻23毫欧（μS） *间电容 封装TO-220（pF） 明达电子商行是汕头市规模的电子元件供应商之一；我们享...
电话：0754-86678372
品牌：苏州硅能型号：SSF7509种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：SW-REG/开关电源封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：--（V） 夹断电压：--（V） *间电容：--（pF） 低频噪声系数：--（dB） 漏*电流：--（mA） 耗散功率：--（mW） 长期供应 苏州硅能 SSF7509 TO-220，可替代ST...
电话：0755-26099161
制造商编号：IRF7404TRPBF 制造商：International 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC 基本参数： 系列：HEXFET? FET型：MOSFET P通道，金属氧化物 FET特点：逻辑电平门 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C：40毫欧@ 3.2A, 4.5V 漏*至源*电压(Vdss)：20V 电流-连续漏*(Id) @ 25°C：6.7A Id时的Vgs(th)（...
电话：0755-61303735
NXP/恩智浦
BFR520
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
SOT-23
BFR520 简介BFR520硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,...
电话：755-82538080
品牌:DIO美国二*管 型号:DMN2004DMK-7 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）深圳市华泰嘉业电子商行是一家的电...
电话：0755-83239795
UTC/友顺
5N60 TO-220F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
台湾UTC 5N60 TO-220F台湾UTC（友顺科技股份有限公司）公司简介 友顺科技股份有限公司成立于1990年，专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。...
电话：020-81292001
品牌:Vishay 型号:SST176 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:0（V） 夹断电压:0（V） 低频跨导:0（μS） 极间电容:0（pF） 低频噪声系数:0（dB） 漏极电流:0（mA） 耗散功率:0（mW）深圳市新科腾半导体电子有限公司以经销...
电话：0755-23816435
SEMIWILL
IRF3205
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
IRF3205-MOS管-场效应管-MOSFET 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有...
电话：021-34637345
品牌/商标 GB,cj 型号/规格 C945P 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
电话：0769-86107115
品牌/商标 GI 型号/规格 MUR3060PT 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 30（μS） *间电容 145（pF） 低频噪声系数 30（dB） 漏*电流 150（mA） 耗散功率 40（mW） 型 号： MUR3060PT...
电话：755-36853255
场效应管
K596
结型(JFET)
N沟道
增强型
C-MIC/电容话筒*
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
1.*限值（Ta=25℃） 参数名称*号额定值单位备注栅-漏击穿电压VGDO-25V 漏-源击穿电压VDSX27V漏-栅漏电流IGDO2.5μA源-栅漏电流IGSO2.5μA结温Tj150℃储存温度Tst...
电话：21-54189668
品牌:国产 型号:3DJ4 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:10（mA） 耗散功率:100（mW）杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立...
电话：571-88009785
1N60
ALJ
TO-92/TO-251/252
无铅*型
直插式
单件包装
MOS场效应管 型号 封装 型号 封装 1N60 TO-92/TO-251/252 XP151A13AOMR SOT-23 2N60 TO-220F/251/252 XP152A12COMR SOT-23 4N60 TO-220F/251/252 IRLML6401 SOT-23 5N60 TO-220F/252 ...
电话：0755-81487911-802
手机：13724338948
ON安森美
NTD60N02R
品牌/商标 ON安森美 型号/规格 NTD60N02R 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N02R TO-252原装*供应NTD60N0...
电话：0755-82811783
品牌/商标 TSF 韩国/FSC *童 型号/规格 TSF2N60 TSF5N60 TSF8N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 现货供应 TSF信安/*童/AAT/VCHIP/ON系列TSF2N60 TSF5N60 TSD2N60 TSD5N50 TSF8N60 TSF10N60 TSF3N80 TSA10N80 TSA9N90 TSA20N50 TSP5N...
电话：0755-83014382
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 F20NM60D、P20NM60FD 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 30（V） 跨导 0.02V/（μS） *间电容 190（pF） 低频噪声系数 1.0（dB） 漏*电流 20000（mA） 耗散功...
电话：0755-26990493
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型，其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能，可按图1-2搭接一个电路，把万用表拨在5V左右的直流电压挡，红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例： 结型FET源极接地放大电路 电路结构： 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS 它是在漏-...
