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继HBM3取得成功后，SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM，并将其供应给美国半导体公司Nvidia，巩固了其在高带宽内存（HBM）市场的主导地位。　　3月19日，SK海力士宣布...

分类：名企新闻时间：2024/3/20 阅读：388 关键词：SK海力士

SK海力士公司今天宣布，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E1已开始量产，并于3月下旬开始向客户供货。七个月前，该公司公布了 HBM3E 开发的成功。　　SK 海力士是 HBM3E 的第...

分类：业界动态时间：2024/3/19 阅读：163 关键词：SK 海力士

TrendForce强调了HBM市场的当前格局，截至2024年初，该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e，标志着内存技术的下一步发展。然而...

分类：行业趋势时间：2024/3/14 阅读：912 关键词：HBM3

三星电子将在 Nvidia 的一场活动中进行突破性的展示，展示物理高带宽内存 (HBM) 3E 12 层 (H)，预计将于今年上半年量产。　　HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下...

分类：名企新闻时间：2024/3/6 阅读：338 关键词：三星 NVIDIA

全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H20...

分类：新品快报时间：2024/3/5 阅读：217 关键词：人工智能

三星电子在业界率先量产第五代 HBM（称为“HBM3E”），以扭转人工智能半导体关键组件高带宽内存（HBM）的市场动态。 12层，今年上半年。　　2 月 27 日，三星宣布开发出 HB...

分类：名企新闻时间：2024/2/29 阅读：292 关键词：三星

根据了解，全球DRAM制造企业美光正在接受主要客户的HBM3E的质量评价，美光预计2023年市场份额约为5%，排名第三，美光CEO Sanjay Mehrotra表示：“我们正处于为英伟达下一代...

分类：名企新闻时间：2023/12/28 阅读：524 关键词：HBM3E

下一代 HBM3E 是高带宽内存 (HBM) 领域人工智能的高性能半导体，其市场正在升温。随着三星电子、SK海力士和美光都准备量产第五代HBM3E，预计竞争将会加剧。　　10月29日，...

分类：业界动态时间：2023/10/31 阅读：309 关键词：HBM3E

三星电子于当地时间 10 月 20 日在位于硅谷的 McEnery 会议中心举办了“2023 年三星内存技术日”。会上，三星展示了多项突破性的内存解决方案，包括：引领AI技术创新的超高...

分类：新品快报时间：2023/10/23 阅读：164 关键词：三星电子

三星电子已确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快HBM3E的开发和营销，预计它将紧随该领域的领导者SK海力士。　　据业内人士10月17日透露，三星电子...

分类：名企新闻时间：2023/10/18 阅读：203 关键词：三星

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