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三星电子在6月7日该公司与美国新思科技(Synopsys)联合举办的会议上公开了该公司代工业务的工艺路线图。此次会议与第53届设计自动化大会(53rdDesignAutomationConference，D...

分类：业界动态时间：2016/6/15 阅读：187 关键词：7nm

欧洲半导体设备大厂ASML透露，晶圆代工大厂台积电(TSMC)计划在2015年采购两套超紫外光(EUV)扫描机，准备将工艺技术推向下一个时代，有可能深入至7纳米。ASML资深副总裁FritsvanHout在12月4日举行的台积电供应链管理论坛接受场

分类：名企新闻时间：2014/12/11 阅读：294

ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光（EUV）设备已出货6台。郑国伟同时指出，ASML的EUV设备近期取得惊人突破，已有2家客户在以它进行晶圆处理时，测试结果达到每天可曝光超过600片晶圆。业界消息也印证了郑国伟的讲话：...

分类：行业趋势时间：2014/10/23 阅读：965 关键词：10nm

在9月份召开的“SEMICONTaiwan2014”展览会上，ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光（EUV）设备已出货6台。郑国伟同时指出，ASML的EUV设备近期取得惊人突破，已有2家客户在以它进行晶圆处理时，测试结果达到每天

分类：行业趋势时间：2014/10/13 阅读：620 关键词：半导体

国通讯行业巨头高通日前手头了一家总部位于荷兰阿姆斯特丹的人工智能图像识别技术公司EuvisionTechnologies。可能名称并不太为人所熟知，但该公司的一款登陆iOS和Android操作系统的相片册应用Impala则非常有趣——简而言之，它可

分类：名企新闻时间：2014/9/17 阅读：820 关键词：人工智能

日前，一场快闪存储器高峰会中，SanDisk公司的技术长YoramCedar指出，下一代微影技术的延迟，将导致NAND快闪存储器的成长趋缓。市场原先对快闪存储器的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光（EUV）微影技术的延迟，快闪存储器的成

分类：行业趋势时间：2011/8/11 阅读：728 关键词：NAND

英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技术总监SamSivak

分类：新品快报时间：2011/3/9 阅读：1277 关键词：10nm 英特尔

面向超越22nm工艺的最半导体而正在研发的新技术——采用13.5nm这一超短波长的新一代曝光技术EUV（extremeultraviolet）即将展露锋芒。由于EUV曝光技术实现了半导体的极小线宽，因而被称为“的曝光技术”。另一方面，与现有

分类：业界要闻时间：2010/11/2 阅读：874

目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现，而身为深紫外光(EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁LucVandenhove指出，EUV技术最快于2014年可望进入量产，而应用存储器制程又将早于逻辑制程，他也指出，无光罩多重电子

分类：业界要闻时间：2010/10/25 阅读：428

未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的CJMuse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战...

分类：业界要闻时间：2010/7/29 阅读：767

继晶圆代工大厂台积电宣布跨入深紫外光(EUV)微影技术后，全球晶圆(GlobalFoundries)也在美国时间14日于SEMICONWest展会中宣布，投入EUV微影技术，预计于2012年下半将机台导入位于美国纽约的12寸晶圆厂(Fab8)，将于

分类：名企新闻时间：2010/7/20 阅读：294

半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术（EUV）投入实用的时间点将再度后延。据ICInsights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望开始实

分类：名企新闻时间：2010/1/26 阅读：748

东芝开发出了用于EUV(ExtremeUltraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22nm的图案进行解像的成果.在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)

分类：业界要闻时间：2009/11/20 阅读：419 关键词：分辨率

东芝(ToshibaCorporation)日前宣布,已经开发出未来EUV光刻所必需的高分辨率的光刻胶,并采用了全球20nm工艺技术对其可行性进行了验证.研究成果将在11月19日举行的第22届国际微处理器和纳米技术会议上披露.随着半导体工艺技术

分类：业界要闻时间：2009/11/19 阅读：453 关键词：Toshiba

台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC2008TechnologySymposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的2

分类：名企新闻时间：2008/10/25 阅读：907 关键词：28nm

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