Toshiba开发出用于20nm节点EUV光刻的分子光刻胶技术
东芝(ToshibaCorporation)日前宣布,已经开发出未来EUV光刻所必需的高分辨率的光刻胶,并采用了全球20nm工艺技术对其可行性进行了验证.研究成果将在11月19日举行的第22届国际微处理器和纳米技术会议上披露.随着半导体工艺技术
分类：业界要闻 时间：2009/11/19 阅读：455 关键词：Toshiba
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光EUV将用于22nm以下工艺
台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC2008TechnologySymposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的2
分类：名企新闻 时间：2008/10/25 阅读：913 关键词：28nm
欧洲研发机构IMEC首席运营官LucVandenHove表示，IMEC将在2010年上半年制成预投产EUV（极紫外）光刻设备。按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的合理性尚存疑问，然而I
分类：行业趋势 时间：2008/10/20 阅读：700
据EETimes报道，欧洲研发机构IMEC首席运营官LucVandenHove表示，IMEC将在2010年上半年制成预投产EUV（极紫外）光刻设备。按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的
分类：行业趋势 时间：2008/10/20 阅读：767 关键词：光刻机
KLA-Tencor推EUV计算光刻工具PROLITHTM 12
KLA-Tencor公司（纳斯达克股票代码：KLAC）近日推出了PROLITHTM12，这是一款业界的新版计算光刻工具。此新版工具让的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线(EUV)光刻有关的各种光罩设计、光刻
分类：名企新闻 时间：2008/10/14 阅读：756
KLA-TENCOR推出专门解决EUV光刻挑战的计算光刻工具PROLITHTM 12
KLA-Tencor公司10日推出了PROLITHTM12，这是一款业界的新版计算光刻工具。此新版工具让的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线(EUV)光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。缩小芯片
分类：名企新闻 时间：2008/10/13 阅读：674
Intel逻辑技术研发部(Hillsboro,Ore.)工艺架构和集成主管MarkBohr介绍说，当开始计划生产22nm的微处理器产品时，IntelCorp.(SantaClara,Calif.)认为在2011年前极紫外（EUV）光刻技术都不会是一
分类：名企新闻 时间：2008/7/8 阅读：495 关键词：Intel
据半导体国际网站报道，日前一个关于极紫外（EUV）光刻光源开发的新联盟在日本启动，这是继EUV曝光技术开发完成后，日本极紫外光刻系统开发协会(ExtremeUltravioletLithographySystemDevelopmentAssocia
分类：业界要闻 时间：2008/5/26 阅读：839
一种新型X射线有望为半导体产业持续向小尺寸发展带来希望。基于该光源制成的光刻设备由美国ColoradoStateUniversity的极紫外科技研究小组研制成功。该射线波长在18.9至13.9纳米之间，足以应用于极紫外（EUV）光刻技术，预计这种光
分类：行业趋势 时间：2008/3/13 阅读：1208
光刻设备商争相发展EUV技术 ASML Canon Nikon公布发展路图
近期举行的SPIE先进光刻技术会议上，ASML、Canon和Nikon相继介绍了他们各自的极紫外（EUV）光刻技术发展路途。SPIE会上，众芯片制造商就以下观点达成了一致：到22纳米及以下节点，必将使用EUV技术。目前为止，对于22纳米节点，除
分类：名企新闻 时间：2008/3/4 阅读：500
近日AMD称与合作伙伴IBM宣称，首次利用EUV光刻技术制造出一颗45nm工艺试验性芯片。这颗芯片使用的是全场(Full-Field)超紫外(EUV)光刻技术，尺寸为22×33mm。此前使用EUV技术生产的芯片部件都是窄场(Narrow-Field
分类：新品快报 时间：2008/3/3 阅读：730
近日AMD称与合作伙伴IBM宣称，首次利用EUV光刻技术制造出一颗45nm工艺试验性芯片。这颗芯片使用的是全场(Full-Field)超紫外(EUV)光刻技术，尺寸为22×33mm。此前使用EUV技术生产的芯片部件都是窄场(Narrow-Field
分类：新品快报 时间：2008/2/29 阅读：702 关键词：IBM
SPIE先进光刻会议上传来消息，日本Canon开发的深紫外光刻设备已经发货，用于研发而非生产。Canon公司的SFET设备(small-fieldexposuretool)数值孔径0.3，视场尺寸0.2-x0.6-mm。据日本芯片研发联盟Selet
分类：行业趋势 时间：2008/2/28 阅读：273
AMD称与合作伙伴IBM已经制造了一个工作“测试芯片”，该技术在器件中关键层利用了EUV（超紫外线）光刻技术。以前利用EUV的项目生产工作芯片的项目仅仅在“狭窄领域”和涵盖极小部分的设计方案。AMD、IBM以及他们的合作伙伴的UAlbanyNano
IMEC、CNSE、IBM及ASML四强联手 加速深紫外光刻（EUVL）技术生产应用
全球的两大纳米电子研发中心——位于美国纽约大学的Albany纳米科技与工程学院（CNSE）及欧洲比利时微电子中心IMEC日前宣布，将就深紫外光刻（EUVL）实验展开合作，来加速产业化应用。另外，来自IBM及ASML的资深工程师也将参与其中。最初
分类：行业趋势 时间：2008/1/23 阅读：1664
