意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽...
ST推出新款的MDmesh MOSFET，内置快速恢复二极管
意法半导体推出的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZV...
分类：新品快报 时间：2017/5/25 阅读：499 关键词：ST
TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
德州仪器 (TI) 推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584/99 NexFET电源模块只需占用511 mm2的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。 DRV832x BL...
通过充分利用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，并将嵌入式微控制器(MCU)和数字信号处理(DSP)以及智能雷达前端集成在内，TI日前推出了横跨具有完整端到端开发平台的76-81GHz...
ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度
ST推出的 Dk5功率管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下...
Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动...
ST推出新款的MDmesh MOSFET，内置快速恢复二极管，提升高能效转换器的功率密度
意法半导体推出的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZV...
Diodes推出闸极驱动器，简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化...
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz系统满...
分类：新品快报 时间：2017/5/22 阅读：409 关键词：传感器
派更宣布可量产供应开创性的UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司宣布，其可立即量产供应UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓（GaAs）技术主导的频段。 ...
分类：新品快报 时间：2017/5/17 阅读：470 关键词：SOI
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保...
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 IC，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 MOSFET。50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无刷直流 (BL...
Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET 第四代功率MOSFET－－SiA468DJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高...
派更半导体推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关
据报道：RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS? PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，...
分类：新品快报 时间：2017/4/27 阅读：472
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性
日前， Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET? 第四代功率---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK? SC-70封装，...
