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IGBT

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源头工厂
  • 型号/规格:

    40N60

  • 品牌/商标:

    kevin

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • Ic:

    40A

  • Bvce:

    600V

  • 品牌/商标:

    东新焊接

  • 型号/规格:

    MIG-630P

  • 工作形式:

    /

  • 焊接方式:

    拉弧式

  • 电流:

    直流

  • 样式:

    便携式

  • 驱动形式:

    电动

  • 保护气体类型:

    其他

  • 应用范围:

    开关

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    PhGW1215DK

  • 封装形式:

    TO-247

  • 击穿电压VCBO:

    1200

  • 集电*允许电流ICM:

    15

  • 封装材料:

    树脂封装

  • 型号/规格:

    M57962AL-01R

  • 品牌/商标:

    IDC

  • 驱动电压电流:

    600V600A,1200V400A

  • 设备名称:

    IGBT逆变中频感应加热电源

  • 型号/规格:

    --

  • 品牌/商标:

    五创

  • 原产地:

    江苏无锡

  • 是否提供加工定制:

  • 型号/规格:

    任意

  • 规格尺寸:

    1000(mm)

  • 材质:

    铝合金

  • 特性:

    水冷散热

  • 用途:

    IGBT,IPM水冷散热

    品牌:-- 型号:GW1.5-1000-0.5-A 电压:3000(V) 功率:1000(W)我公司生产的IGBT晶体管模块中频电源装置的基本原理是:从电网输入三相工频交流电,经三相全波整流电路,又经Cd、Ld滤波,送入由IGBT1、IGBT2元件组成...

    • 品牌/商标:

      NCE

    • 型号/规格:

      NCE20G120T

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      MOS-FBM/全桥组件

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

      品牌/商标 infineon英飞凌 型号/规格 FF200R12KT3 FF200R12KE3 封装 10 批号 000 类型 电源模块 主要经营:英飞凌IGBT,西门康IGBT,三菱IGBT,富士模块三社可控硅,IXYS可控硅模块,整流桥模块,IGBT、IPM、PIM、产...

        品牌:SEMIKRON /西门康 型号:SKM400GAL124D,SKM50GAL123D;SKM50GB123D,SKM100GA121D 批号:10 封装:封装 营销方式:* 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:...

        • 品牌/型号:

          东芝/MG150Q2YS51

        • 类别:

          直插

        • 结构:

          直插

        IGBT行业资讯

        • IGBT发明者,获巨额奖金

          据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。  自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

        • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

          Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...

        • Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

          近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...

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        • Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器

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        什么是IGBT?

        • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
        • IGBT

        IGBT技术资料

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          IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。  图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

        • 用数字万用表检测IGBT

          区分电极  在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...

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