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IGBT

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源头工厂
  • 型号/规格:

    POT30

  • 品牌/商标:

    燕秦纳米科技有限公司(中英文)

  • 包装方式:

    多件包装

  • 燕秦纳米科技有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:河北秦皇岛
  • 电话:0335-8388481

    手机:13780386493

    应用范围:电源 品牌:弘源 型号:IGBT变压器 频率特性:高频 电源相数:三相 铁心形状:UY 冷却形式:干式 *潮方式:灌封式 冷却方式:风冷式 外形结构:卧式 额定功率:315A400A500A(KVA) 根据客户需求,为您设计制作高频线...

      重量:53(kg) 品牌:益丰,时*仆 型号:*C-500 产品别名:逆变焊机,气保焊,二氧焊机,*C焊机,CO2焊机, 产品用途:船舶、储罐、钢结构、桥梁等金属焊接。 额定输入容量:25KVA 电压:380(V) 电流:500(A) 负载持续...

      • 加工定制:

      • 应用范围:

        电源

      • 品牌:

        尚新融大

      • 型号:

        FBT20K(5KW-100KW)

      • 频率特性:

        中频

      • 电源相数:

        单相或三相

      • 铁心形状:

        非晶环型 铁氧体E型

      • 冷却形式:

        风冷

        品牌:YT 型号:200A-500A 工作形式:弧焊 焊接方式:拉弧式 电流:交流 样式:晶闸管 操作方式:手动 驱动形式:半自动 保护气体类型:二氧化碳 作用对象:金属 适用对象:金属制做,造船,刚结构 公司是生产CO2、MIG/MAG气体保...

        • 吕俊永

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:生产加工
        • 地区:河北沧州
        • 电话:0317-2839276

        • 型号/规格:

          6*P100RTA060-01

        • 品牌/商标:

          富士

        联众科技发展有限公司成立于2003年,公司秉承“质量,信誉;服务于客户,让利于客户”的宗旨.经销原装*|西门康、优派克(英飞凌)、富士、三菱、大卫、三社功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅,*快速熔断器;无感...

        • 联众科技电子

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商
        • 地区:河北石家庄
        • 电话:0311-68973287

          手机:15232175226

        IGBT行业资讯

        什么是IGBT?

        • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
        • IGBT

        IGBT技术资料

        • 什么是IGBT?IGBT的原理

          IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。  与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

        • IGBT 应用笔记

          利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

        • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

          MOSFET 和 IGBT 技术  由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。  IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...

        电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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