FS100R12KT3
infineon
英飞凌600/IGBT模块天津公司45,/两单元/ /BSM50GB60DLC/BSM75GB60DLC /BSM100GB60DLC /BSM150GB60DLC/BSM200GB60DLC /BSM300GB60DLC /FF200R06KE3 /FF300R06KE3 / FF400R06KE3 / 英飞凌模块1200V系列/IGBT/模块:BSM...
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MMGTU100S120B6C
MACMIC宏徽
普通型
树脂封装
其他
普通
其它
1
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1MBI400N-120
FUJI富士
标准封装
螺丝安装
1200
400
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6MBI300U4-170
FUJITSU(富士通)
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new
IGBT
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BSM100GB60DLC
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100A
600V
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2SC0108T2AO-17
ABB
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60
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1MBI400U-120
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日本
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XK
XK推出新款*镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---XK Roederstein MMKP81,该器件可直接安装在*缘栅双*型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC...
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FZ400R12KS4
SUNYUANSZ
德国
400A
1200V
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EN-3020C
易恩电气
IGBT静态参数
380W
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BM
1引言 众所周知,在电力电子功率器件的应用电路中,无一例外地都要设置缓冲电路,即吸收电路。因为全控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多,但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。 2缓...
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Mitsubishi/三菱
CM1400DUC-24NF
单向
二*
塑料封装
平板形
高频(快速)
不带散热片
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SKM75GB128D
SEMIKRON(西门康)
SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DSKM400GB128DSKM100GAL128DSKM145GAL128DSKM200GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DSKM145GAR128DSKM400GAR128DSKM50GB12T4SKM75GB12T4SKM1...
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FZ800R12KF5
欧派克
FZ800R12KF5 FZ800R12KL4C FZ800R16KF1 FZ800R16KF4 FZ800R16KF5 FZ800R16KL4C FZ900R12KF1 FZ900R12KF4 FZ900R12KF5 FZ900R12KL4C FZ900R16KF1 FZ900R16KF4 FZ900R16KF5 FZ900R16KL4C FZ1000R12KF1 FZ1000R12KF4 FZ...
电话:0512-86186688-207
手机:18963673911
DHS-ZP
DHS
类型 交流变频电源 品牌 DHS 型号 DHS-ZP 电路方式 SPWM开关型 负载类型 混合型负载 控制方式 脉冲宽度调制型 输入电压 220/380(V) 输出电压 0-额定值(V) 输入频率 50/60(Hz) 输出频率 400(Hz) 效率 大于等...
电话:512-62825290
类型:交流变频电源 品牌:DHS 型号:DHS-ZP 电路方式:SPWM开关型 负载类型:混合型负载 控制方式:脉冲宽度调制型 输入电压:220/380(V) 输出电压:0-额定值(V) 输入频率:50/60(Hz) 输出频率:400(Hz) 效率:大于等...
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EUPEC
T618N12
双向
多*
塑料封装
平板形
高频(快速)
不带散热片
电话:0512-57198333
品牌/商标 西门康 型号/规格 SKM400GB128D 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 SIT静电感应 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) ...
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据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。 自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量(ESCIS)的同时实现低饱和电压特性。 同时,在全温度范围(?40 °C~175 °C),能维持极为稳定的耐压。 为系...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ 尽管测量...
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...
区分电极 在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...