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IGBT

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源头工厂
  • 型号/规格:

    FS100R12KT3

  • 品牌/商标:

    infineon

英飞凌600/IGBT模块天津公司45,/两单元/ /BSM50GB60DLC/BSM75GB60DLC /BSM100GB60DLC /BSM150GB60DLC/BSM200GB60DLC /BSM300GB60DLC /FF200R06KE3 /FF300R06KE3 / FF400R06KE3 / 英飞凌模块1200V系列/IGBT/模块:BSM...

  • 型号/规格:

    MMGTU100S120B6C

  • 品牌/商标:

    MACMIC宏徽

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装材料:

    树脂封装

  • 封装外形:

    其他

  • 关断速度:

    普通

  • 散热功能:

    其它

  • 频率特性:

    1

  • 型号/规格:

    1MBI400N-120

  • 品牌/商标:

    FUJI富士

  • 封装:

    标准封装

  • 安装方式:

    螺丝安装

  • 电压V:

    1200

  • 电流A:

    400

  • 型号/规格:

    6MBI300U4-170

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 封装:

    国际封装

  • 批号:

    new

  • 名称:

    IGBT

  • 型号/规格:

    BSM100GB60DLC

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 电流:

    100A

  • 电压:

    600V

  • 用途:

    电工电气

  • 型号/规格:

    2SC0108T2AO-17

  • 品牌/商标:

    ABB

  • 电压:

    1200

  • 电流:

    60

  • 温度:

    60

  • 大小:

    20

  • 型号/规格:

    1MBI400U-120

  • 品牌/商标:

    富士

  • 电流:

    -

  • 电压:

    -

  • 额定电流:

    -

  • 额定电压:

    -

  • 产地:

    日本

  • 品牌:

    XK

XK推出新款*镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---XK Roederstein MMKP81,该器件可直接安装在*缘栅双*型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC...

  • 昆山昱电电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏苏州
  • 电话:0512-57052008

    手机:13913287141

  • 型号/规格:

    FZ400R12KS4

  • 品牌/商标:

    SUNYUANSZ

  • 产地:

    德国

  • 电流:

    400A

  • 电压:

    1200V

  • 型号/规格:

    EN-3020C

  • 品牌/商标:

    易恩电气

  • 测试对象:

    IGBT静态参数

  • 功率:

    380W

  • 品牌:

    BM

1引言 众所周知,在电力电子功率器件的应用电路中,无一例外地都要设置缓冲电路,即吸收电路。因为全控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多,但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。 2缓...

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    CM1400DUC-24NF

  • 控制方式:

    单向

  • *数:

    二*

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 封装外形:

    平板形

  • 关断速度:

    高频(快速)

  • 散热功能:

    不带散热片

  • 型号/规格:

    SKM75GB128D

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DSKM400GB128DSKM100GAL128DSKM145GAL128DSKM200GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DSKM145GAR128DSKM400GAR128DSKM50GB12T4SKM75GB12T4SKM1...

  • 型号/规格:

    FZ800R12KF5

  • 品牌/商标:

    欧派克

FZ800R12KF5 FZ800R12KL4C FZ800R16KF1 FZ800R16KF4 FZ800R16KF5 FZ800R16KL4C FZ900R12KF1 FZ900R12KF4 FZ900R12KF5 FZ900R12KL4C FZ900R16KF1 FZ900R16KF4 FZ900R16KF5 FZ900R16KL4C FZ1000R12KF1 FZ1000R12KF4 FZ...

  • 型号/规格:

    DHS-ZP

  • 品牌/商标:

    DHS

类型 交流变频电源 品牌 DHS 型号 DHS-ZP 电路方式 SPWM开关型 负载类型 混合型负载 控制方式 脉冲宽度调制型 输入电压 220/380(V) 输出电压 0-额定值(V) 输入频率 50/60(Hz) 输出频率 400(Hz) 效率 大于等...

    类型:交流变频电源 品牌:DHS 型号:DHS-ZP 电路方式:SPWM开关型 负载类型:混合型负载 控制方式:脉冲宽度调制型 输入电压:220/380(V) 输出电压:0-额定值(V) 输入频率:50/60(Hz) 输出频率:400(Hz) 效率:大于等...

    • 品牌/商标:

      EUPEC

    • 型号/规格:

      T618N12

    • 控制方式:

      双向

    • *数:

      多*

    • 封装材料:

      塑料封装

    • 封装外形:

      平板形

    • 关断速度:

      高频(快速)

    • 散热功能:

      不带散热片

      品牌/商标 西门康 型号/规格 SKM400GB128D 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 SIT静电感应 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) ...

      IGBT行业资讯

      • IGBT发明者,获巨额奖金

        据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。  自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

      • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

        Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...

      • Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

        近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...

      • Sanken - 低饱和电压有助于高效率化 车载点火器用IGBT

        DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。  无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。  在维持承受高自箝位感应开关能量(ESCIS)的同时实现低饱和电压特性。  同时,在全温度范围(?40 °C~175 °C),能维持极为稳定的耐压。  为系...

      • Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器

        深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...

      什么是IGBT?

      • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
      • IGBT

      IGBT技术资料

      • IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量

        采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。   电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A   目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ   尽管测量...

      • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

        IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。  图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

      • 用数字万用表检测IGBT

        区分电极  在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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