类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2021-05-07 16:12:53 | 807 次阅读
金升阳紧跟功率半导体市场动向，推出QAxx3D-2GR3（下文称：QA-R3系列驱动电源），可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠、高效率的驱动电源方案。
一、产品介绍
1）高可靠性保障
QA-R3系列驱动电源在变压器设计上采用了独特设计，通过增加原副边爬电距离，使得电气间隙满足14.5mm的安规要求，隔离电容3.5pF，隔离电压达到5000VAC（基于EN61800-5-1标准要求）；产品采用加强绝缘设计，极大提高了可靠性。
该系列还满足EN50178/EN61800-5-1标准要求，通过EN62368 （ 中），符合UL62368设计要求；高可靠的设计保证其可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠的驱动电源方案。
2）效率高达88%
采用独特电路设计方案，在电路设计上，减小了原副边漏感的影响，极大地提升产品效率，使得产品效率高达88%，处于行业 地位。
3）单路2.4W输出功率，双通道输出，设计更灵活
采用双通道输出设计，单路输出功率可达到2.4W，两通道之间满足加强绝缘要求（5000VAC隔离），有效降低了客户的使用成本和占板面积使得客户设计更加灵活。
二、产品应用
QA-R3系列驱动电源依靠高可靠性能，可满足1700V及以下的常规IGBT/SiC MOSFET，应用领域涵盖轨道交通，智能电网，风力发电，新能源，电机传动，充电桩等。
一、产品特点
●效率高达88%
●隔离电压高达5000VAC(加强绝缘)
● 容性负载200uF
●隔离电容3.5pF typ.
●工作电压范围：-40℃ to +105℃
●整机材质符合CTI 1类
●专为1700V IGBT/SiC MOSFET驱动器设计
●符合UL62368、EN61800、EN50178标准 要求
●通过EN62368
联系邮箱：3342987809@qq.com
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