不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造还可应用于逐渐兴盛的XR器件制造领域
佳能将于2023年3月13日发售面向前道工序的半导体光刻机新产品----i线※1步进式光刻机“FPA-5550iX”，该产品能够同时实现0.5μm（微米※2）高解像力与50×50mm大视场曝光。
新产品“FPA-5550iX”能够同时实现50×50mm大视场及0.5μm高解像力曝光，在不断趋向高精尖化的全画幅CMOS传感器制造领域中，使得单次曝光下的高解像力成像成为可能。同时，通过充分利用高解像力与大视场的优势，“FPA-5550iX”也可应用于头戴式显示器等小型显示设备制造的曝光工序中。此外，随着先进的XR器件显示器需求增加，该产品也可广泛应用于大视场、高对比度的微型OLED显示器※3制造。新产品“FPA-5550iX”不仅能够应用于半导体器件制造，也可以在的XR器件显示器制造等更广泛的器件制造领域发挥其作用。
1. 通过制造方法的革新，兼顾高解像力与大视场曝光，实现更加稳定的镜头供应
新产品“FPA-5550iX”通过继承现款机型“FPA-5510iX”（2015年9月发售）中采用的投影镜头，实现了0.5μm的高解像力成像。同时，通过实现50×50mm的大视场曝光，让全画幅CMOS传感器及XR显示器制造中所需的大视场、高解像力单次曝光成为可能。此外，通过制造方法的革新，能够实现更优质、更稳定的投影镜头供应，满足半导体光刻设备制造的旺盛需求。
2. 通过采用可读取各类对准标记的调准用示波器，进一步加强制程对应能力
调准用示波器不仅具备检测直射光的“明场检测”功能，还新增了检测散射光和衍射光的“暗场检测”功能，用户可根据使用需求选择相应的检测方法。通过可选波长范围的扩大、区域传感器的应用，加之可进行多像素测量，终实现更低噪点的检测效果，即使是低对比度的对准标记，也可以进行检测。此外，可以应用于各类对准标记的测量，加强对用户多样制程的支持能力。比如，作为选装功能，用户可以选择配备能够穿透硅片的远红外线波长，以便在背照式传感器制造过程中对晶圆背面进行对准测量。
3. 通过与Lithography Plus的协同，提高运转效率
通过与解决方案平台“Lithography Plus”（2022年9月上市）的协同，对光刻设备的状态进行监测、分析，实现光刻设备良好的品质管控以及更高的运转效率。
※1.使用了i线（水银灯波长 365nm）光源的半导体光刻设备。1nm（纳米）是10亿分之1米。
※2.1?m（微米）是100万分之1米（＝1000分之1mm）。
※3.通过有机 EL（OLED）独有的高画质，使用硅片实现超高解像力的显示器制造形式。
※4.为了对半导体电路进行多层叠加制造，以定位为目的在晶圆上作的标识
