SK 海力士 宣布推出 其 HBM3 内存的增强版，将数据传输速率提高 25%，从而为使用这种优质 DRAM 的应用程序提供相当大的性能提升。为人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 开发解决方案的公司将欢迎 HBM3E 于 2024 年上市。
SK 海力士的 HBM3E 内存将数据传输速率从目前的 6.40 GT/s 提高到 8.0 GT/s，这将使每堆栈带宽从 819.2 GB/s 提高到 1 TB/s。 HBM3E 与现有 HBM3 控制器和接口的兼容性仍不清楚，因为 SK 海力士尚未透露这方面技术的细节。
SK 海力士计划在 2023 年下半年开始出样其 HBM3E 内存，并于 2024 年开始量产。
该公司将使用其1b纳米制造技术（该公司用于DRAM的第5代10nm级节点）来生产其HBM3E内存。此生产节点目前用于制造 DDR5-6400 DRAM，这些 DRAM 已针对英特尔的下一代至强可扩展平台进行了验证。终，它还将用于生产LPDDR5T存储芯片，用于对性能要求苛刻的低功耗应用。
SK海力士DRAM开发主管Jonghwan Kim表示：“在人们越来越期待内存市场将从下半年开始复苏的情况下，我们相信我们行业领先的DRAM技术，这次通过10亿纳米工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们提高下半年的收益。
假设 SK 海力士的 HBM3E 内存开发和量产按预期进展，SK 海力士将拥有一份渴望为其下一代 AI 和 HPC 解决方案采购快速 HBM3E 内存的买家名单。与此同时，根据 TrendForce 的数据，SK 海力士已经是的 HBM 供应商，如果它成为第一家优质 HBM3E 内存供应商，它的地位可能会得到加强。
