SK 海力士的监管文件显示，2024 年第一季度客户存款再次大幅增长。
该公司表示，它收到了 561 亿韩元的预付款和 2.7459 万亿韩元的客户负债，或客户存款，其中实体收到了稍后向其提供商品或服务的义务的预付款。
就客户存款而言，较上一季度增加了 1.16 万亿韩元（约合 8.5 亿美元），当时其客户存款为 1.5851，较去年第三季度增加了 1.3 万亿韩元。这意味着它在一个季度内再次赢得了高带宽内存（HBM）的大订单。
SK海力士本月早些时候表示，2024年的HBM产能已经售罄，2025年的产能也大部分售罄。该公司收到了主要客户Nvidia的预付款，用于在2023年下半年扩大其HBM3E产能。这家图形巨头可能会继续向 SK 海力士付款，以确保其获得稳定的 HBM 芯片供应。
与此同时，三星本月表示已于本月开始量产HBM3E 8H，而HBM3E 12H也将于第二季度开始量产。这些芯片预计将用于AMD MI350。
HBM 芯片价格预计 2025 年将上涨 10% 分析师称，到 2025 年，HBM（高带宽内存）芯片价格预计将上涨 5% 至 10%，届时它们预计将占全球 DRAM 市场总量的 30% 以上。
TrendForce表示，在大幅定价溢价和人工智能芯片产能需求增加的推动下，HBM 市场将迎来“强劲增长”。
HBM 是一组与内插器设备粘合的内存芯片，与 x86 插槽连接的 DIMM 方法相比，它可以更快地连接到 GPU，并提供更大的容量。
上个月，DRAM 和 NAND 制造商SK 海力士报告称，得益于 HBM 芯片需求的飙升，第一季度收入增长了 144%。
rendForce指出，HBM单位售价是传统DRAM的数倍，是DDR5的约5倍。该分析师表示，这一定价加上人工智能芯片技术的产品迭代可提高单设备 HBM 容量，预计将“大幅提高”2023 年至 2025 年 HBM 在 DRAM 市场容量和价值中的份额。
TrendForce研究副总裁吴艾薇表示：“HBM在DRAM总容量中的份额预计将从2023年的2%上升到2024年的5%，到2025年将超过10%。”就市场价值而言，她表示，预计到 2024 年，HBM 将占 DRAM 总市场价值的 20% 以上，到 2025 年“可能超过”30%。
Wu 补充说，2025 年 HBM 定价的谈判已于 2024 年第二季度“开始”。不过，由于DRAM整体产能有限，供应商初步提高了价格来管理产能限制，影响了HBM2e、HBM3和HBM3e芯片。
这一早期谈判阶段归因于三个主要因素。首先，HBM买家对AI需求前景保持高度信心，愿意接受价格持续上涨。其次，HBM3e的TSV （Through Silicon Via）的良率目前仅为40％至60％，还有改进的空间。虽然并非所有主要供应商都通过了 HBM3e 的客户资格，但买家愿意接受更高的价格，以确保稳定和优质的供应。
第三，未来每 GB 定价可能会根据 DRAM 供应商的可靠性和供应能力而有所不同，这可能会造成平均销售价格的差异，从而影响盈利能力。
TrendForce表示，展望2025年，从主要AI解决方案提供商的角度来看，HBM规范要求将向HBM3e发生重大转变，预计12Hi（12层）堆栈产品将会增加。这一转变预计将提高每个 HBM 芯片的容量。
