Infineon - 英飞凌推出超高电流密度功率模块,助力高性能AI计算

类别:其他  出处:网络整理  发布于:2025-02-20 15:51:39 | 63 次阅读

  数据中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推动下,预计到2030年,这一数字将增长到7%左右,相当于整个印度目前的能耗。实现从电网到核心的高效功率转换对于实现卓越的功率密度至关重要,从而在降低总拥有成本(TCO)的同时提高计算性能。因此,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将推出TDM2354xD和TDM2354xT双相电源模块,具有出色的功率密度,适用于高性能AI数据中心。这些模块实现了真正的垂直功率传输(VPD),并提供了业界领先的电流密度1.6A/mm2。英飞凌在今年早些时候还推出了TDM2254xD双相功率模块。

  TDM23541D双相功率模块
  英飞凌科技公司电源IC副总裁Rakesh Renganathan表示:“我们很自豪能够使用我们的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模块助力高性能AI数据中心。这些半导体器件将凭借英飞凌的商标质量和稳健性更大程度地提高系统性能,从而为数据中心实现更佳TCO。我们行业领先的功率器件和封装技术,结合我们广泛的系统知识,将进一步推进高性能和绿色计算,作为我们推动数字化和脱碳使命的一部分。”
  通过采用英飞凌强大的OptiMOS 6沟道技术、芯片嵌入式封装(通过提高电气和热效率实现超高功率密度),以及新型电感器技术,TDM2354xD和TDM2354xT模块的外形变得更薄,进而实现了真正的垂直功率传输。这两款模块也因此树立了功率密度和质量的新标准,更大程度地提高了AI数据中心的计算性能和效率。TDM2354xT模块支持的电流为160 A,是业内首款采用8 x 8 mm 小外形尺寸的跨电感稳压器(TLVR)模块。两款模块在与英飞凌的 XDP控制器相结合后,可提供极快的瞬态响应,并且多可将板载输出电容降低50%,进一步提高了系统功率密度。

关键词:英飞凌

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