ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 RY7P250BM为8×8mm...
分类：新品快报 时间：2025/6/4 阅读：2471 关键词：ROHM
Infineon - 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用...
时间：2025/2/20 阅读：73 关键词：英飞凌
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系...
分类：新品快报 时间：2024/12/13 阅读：359
Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。 这...
分类：新品快报 时间：2024/11/26 阅读：335 关键词：MOSFET
Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全...
分类：新品快报 时间：2024/11/19 阅读：356 关键词：MOSFET
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求...
分类：新品快报 时间：2024/9/29 阅读：530 关键词：MOSFET
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前...
分类：新品快报 时间：2024/5/8 阅读：340 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的...
时间：2024/5/7 阅读：138 关键词：电子
三菱电机发布商用手持双向无线电用6．5W硅射频高功率MOSFET样品
三菱电机集团近日宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6...
分类：新品快报 时间：2024/3/2 阅读：382 关键词：电子
Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212－F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度...
分类：新品快报 时间：2024/2/21 阅读：400 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出首款采用OptiMOS7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服...
时间：2024/1/15 阅读：143 关键词：MOSFET
英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOS...
分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：517 关键词：英飞凌
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ: LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性...
分类：新品快报 时间：2023/11/27 阅读：248
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n...
分类：新品快报 时间：2023/9/5 阅读：566 关键词：MOSFET
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“X...
分类：新品快报 时间：2023/8/18 阅读：503 关键词：MOSFET
