日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190Vn通道功率MOSFET，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAKSC-70封装的SiA
Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP
日前，VishayIntertechnology,Inc.日前宣布推出新型20V和30Vp通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内的导通电阻。现有的
分类：新品快报 时间：2008/12/25 阅读：1487 关键词：Vishay
VishaySiliconix推出业界最小占位面积20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管
宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管---SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAK?SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特
分类：名企新闻 时间：2008/12/15 阅读：328 关键词：二极管
Vishay推出首款采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET系列
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET采用TurboFET技术
日前，VishayIntertechnology推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及
VishaySiliconix推出了首款采用TurboFET™技术的第三代功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,InC.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET®技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达
分类：名企新闻 时间：2008/12/5 阅读：288 关键词：MOSFET
采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET™技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低
Vishay推出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP
日前，威世(VishayIntertechnology,Inc.)推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAKSO-8封装，在20V额定电压时具有业界导通电阻及导
分类：新品快报 时间：2008/12/4 阅读：791 关键词：Vishay
NEC电子推出2款功率MOSFET适用于电脑DC/DC转换器
NEC电子日前推出2款适用于电脑中DC/DC转换器用的功率MOSFET产品，并以“mPA2745”、“mPA2749”的品名于即日起提供样品。作为该系列的扩充产品，该2款产品成功将电力损耗降低3%。交流电源先由AC适配器降压并输出为15V或20
NEC推出电脑DC/DC转换器应用的功率MOSFETmPA2745/9
NEC电子日前推出2款适用于电脑中DC/DC转换器用的功率MOSFET产品，并即日起提供“mPA2745”、“mPA2749”样品。作为该系列的扩充产品，该2款产品成功将电力损耗降低3%。交流电源先由AC适配器降压并输出为15V或20V直流电压
VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型20Vn通道器件---SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET?功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK?SO-8封装，在20V额定电压时具有业界导通电阻及导通电
分类：名企新闻 时间：2008/11/21 阅读：296 关键词：MOSFET
NEC电子开发个人电脑DC-DC逆变器用功率MOSFET可减少电力损失
NEC电子面向个人电脑等的DC-DC逆变器，投产了两款电力损失比原来最多减少约3％的功率MOSFET，并从2008年11月18日开始样品供货。主要用于DC-DC逆变器的开关元件，可将AC适配器输出的15V或20V直流电压降为CPU驱动用的1.5V等
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，
分类：名企新闻 时间：2008/11/18 阅读：191 关键词：MOSFET
安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域
Vishay推出一款新型25Vn通道器件功率MOSFET系列SiR892DP和SiR850DPn
Vishay推出一款新型25Vn通道器件，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAKSO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。该SiR476D
