Vishay推出新款功率MOSFET，在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。额定电压为1.2V的这些新型VishaySiliconixTrench
NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通
NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通
Vishay新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET功耗为3W
日前，为不断满足对高热效功率半导体不断增长的需求，VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAKChipFET封装的p通道功率MOSFET，该封装可提供热性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。
功率MOSFET的价格在4月末继续走平。由于功率MOSFET的价格不像其他分立器件那样易于波动，因此，其价格在2007年会相当地稳定。在这一市场中，新技术的不断地被采用，老的产品会逐渐被新产品代替，这种情况平衡了价格的剧烈波动。高压功率MOSFET
分类：维库行情 时间：2007/6/27 阅读：1506 关键词：MOSFET
功率MOSFET的价格在3月份继续走平。由于功率MOSFET的价格不像其他分立器件那样易于波动，因此，价格在2007年会相当地稳定。在这一市场中，新技术不断地被采用，老的产品会逐渐被新产品代替，这种情况平衡了价格的剧烈波动。iSuppli公司预计，
分类：维库行情 时间：2007/5/29 阅读：1021 关键词：MOSFET
NECEL推出汽车用大电流驱动功率MOSFET NP180N04
NECEL近期推出承载电流达到业界水平的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品--"NP180N04"，并于即日起开始提供样品。该产品是用于连接微控制器电路和电机等驱动装置的车载半导体产品。新产品的特征是通过将源（source
分类：新品快报 时间：2007/4/13 阅读：1144 关键词：MOSFET
安森美半导体（ONSemiconductor）推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许
功率MOSFET的价格在12月继续走平，低、中压器件的销售保持增长，由于IGBT的进入，高压器件失去了一些市场份额。终端用户的增长，如，消费电子、电脑、航空、军事、汽车、通信等，会持续刺激需求的增长。由于新技术的不断采用，老的产品会逐渐被新产...
分类：维库行情 时间：2007/2/27 阅读：2009 关键词：MOSFET
安森美半导体（ONSemiconductor）全球的电源管理半导体解决方案商，推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体业内的Trench技术来取得
功率MOSFET的价格在12个月中第二次走平，这预示着在年底，其价格经过12个月的大幅上涨后这种上涨的趋势将会减弱，正如iSuppli公司所预测的，4-6月份的大幅上涨使得3季度未的平均销售价格稳定。预计在年底和07年1季度其价格可能走平，现货价格
分类：维库行情 时间：2007/1/19 阅读：1322 关键词：MOSFET
NEC电子面向驱动液晶电视背照灯的逆变器，推出了导通电阻为业界水平、即6.7mΩ的功率MOSFET。新产品共3款，包括面向50英寸左右电视的“2SK4075”、面向40～30英寸电视的“2SK4076”，以及面向30英寸左右电视的“2SK407
意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，例如，大功率
意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，例如，大功率
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括
