飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513Z...
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体(NYSE:FCS)开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器...
安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF
特瑞仕半导体（董事总经理藤阪知之,日本东京），推出了世界上最小级别的0603尺寸超小型肖特基二极管。特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。XBS013V1DR-G和XBS013R1DR
分类：新品快报 时间：2010/3/31 阅读：1512 关键词：二极管
Intel在APEC上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和轻
VishayIntertechnology,Inc.日前推出四款第五代高性能45V和100V肖特基二极管6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN和20WT04FN。Vishay此次推出的器件将D-Pak的电流能力扩展至高达20A，从而
infineon在APEC上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管
近日，在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上infineon(英飞凌)科技股份有限公司推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从
Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAKSC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Visha
VishaySiliconix推出业界最小占位面积20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管
宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管---SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAK?SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特
分类：名企新闻 时间：2008/12/15 阅读：332 关键词：二极管
VishayIntertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?SiE7
Vishay推出具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?S
Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045
Vishay宣布推出结温高达+175℃的首款新型第五代（Gen.5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布推出结温高达+175°C的业界首款新型第五代（Gen.5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超
Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFE
Vishay当前正在提供目前最小的FlipKY芯片级肖特基二极管。日前宣布推出的VishayFCSPFlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，这些器件的占位面积为0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。凭借0.6mm(1A器件)
