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DRAM，三个方向

受关税担忧影响，内存市场规模有望在 2025 年连续第二次创下 2000 亿美元纪录　　2024年伊始，数据中心AI训练工作负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。这标志着行业从2022-2023年严重的...

分类：行业趋势时间：2025/6/23 阅读：1631 关键词：DRAM

三星下一代 DRAM 良率升至 50 - 70%，竞争优势凸显

据 Sedaily 报道，三星在 1c DRAM 领域取得了显著突破，其第六代 10 纳米级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试良率已提升至 50% - 70%，相较于去年不足 30% 的水平有了大幅提高。这一进展对于三星而言意...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：283 关键词：三星

Counterpoint 预估：长鑫存储今年 DRAM 增产近 50%，年末市占或达 8%

市场分析机构 Counterpoint 作出预测，长鑫存储在去年实现大幅增产的基础上，今年其 DRAM 内存产能将进一步同比增长近 50%。这一显著的产能提升，彰显了长鑫存储在技术研发、生产制造等方面的强...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：177 关键词：长鑫存储 DRAM

SK 海力士登顶 DRAM 营收，三星电子借良品率改善谋翻身

在全球半导体市场的激烈竞争中，动态随机存取存储器（DRAM）领域的格局近期发生了显著变化。此前，市场研究机构发布的报告显示，受人工智能领域对高带宽存储器（HBM）强劲需求的推动，SK 海力士...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：176 关键词：SK 海力士

Marvell 美满引领创新，首发 2nm 定制 SRAM 达 6Gb 容量

Marvell 美满电子宣布推出业界首款 2nm 定制 SRAM（静态随机存取存储器），这一创新产品将为 AI xPU 算力设备提供强大的支持。　　这款 2nm 定制 SRAM 具有显著的优势。它能够为 AI xPU 算力设...

分类：新品快报时间：2025/6/20 阅读：1341 关键词：Marvell

SK 海力士聚焦 HBM 商机，暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对其下一代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏进行了调整，决定暂缓...

分类：名企新闻时间：2025/6/17 阅读：298 关键词：SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 市场，搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对下代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调整，暂缓了新技术的应...

分类：名企新闻时间：2025/6/16 阅读：385 关键词：SK 海力士

ams OSRAM-从装饰到交互，艾迈斯欧司朗OSP开放协议重构动态照明交互脉络

随着汽车智能化浪潮的推进，车内氛围灯已从简单的装饰功能升级为智能座舱体验的核心要素。消费者对座舱的交互性、个性化和情感化需求日益增长，推动照明系统向动态化、高集成化方向革新。据QYResearch报告显示，预计2030年全球汽车氛围灯市场规模将...

时间：2025/6/12 阅读：50 关键词：ams OSRAM

WPG-大联大品佳集团推出基于Microchip和ams OSRAM产品的10Base-T1S万级像素大灯方案

2025年6月10日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于微芯科技（Microchip）ATSAME54 MCU和艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）EVIYOS 2.0的10Base-T1S万级像素大灯方案。　　图示1-大联大品佳基于Microchi...

时间：2025/6/12 阅读：68 关键词：WPG

DRAM 大宗交易价格 5 月上扬 10%，产业走向待察

在半导体存储器市场中，动态随机存取存储器（DRAM）一直占据着重要地位。近期，DRAM 市场出现了显著的价格波动。2025 年 5 月，DRAM 大宗交易价格连续 2 个月较上月上涨 10%，这一变化引起了行业内外的广泛关注。 DRAM 作为一种用于数据临时存储...

分类：业界动态时间：2025/6/12 阅读：258 关键词：DRAM

SK 海力士公布 DRAM 长期路线图，聚焦 10nm 以下技术

据 ZDNet 报道，继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后，SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上，公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景，着重介绍了 10nm 以下技...

分类：业界动态时间：2025/6/11 阅读：216 关键词：SK 海力士

I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元

据韩媒 the bell 当地时间昨日报道，HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍，达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响，由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺，不得不扩大...

分类：业界动态时间：2025/6/11 阅读：164 关键词：DRAM

三星 DRAM 改革成效初显，产量与挑战并存

在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，三星电子正积极采取措施重塑其在该领域的领先地位。近期，三星在第六代 DRAM（1c 节点）良率方面取得了重要突破，这一进展不仅为其自身发展带来了新的契...