短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...

这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...

氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...