ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代...

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Silico...

－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET...

随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采...

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏...

在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极型晶体管（BJT）组合...

增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...

低压技术　　与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现，这可以使抗性改善...

低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容：　　低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设...