Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK 10x12封装的新型40 V TrenchFET 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，V...
意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9....
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。 这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有...
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8...
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。 关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息 图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...
这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。 这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
