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IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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LTV-3120S-TA1 贴片IGBT栅极驱动光电耦合器
LTV-3120S-TA1 贴片IGBT栅极驱动光电耦合器
  • 型号/规格：

    LTV-3120S-TA1

  • 品牌/商标：

    LITEON光宝

  • 生产日期：

    2022+

  • 存储温度：

    -55℃~+125℃

  • 运行工作温度：

    -40℃~+100℃

  • 结缘电压隔离电源：

    5000V

  • PCB板焊接温度：

    260℃

IRGB4062DPBF IGBT管/模块 TO220
IRGB4062DPBF IGBT管/模块 TO220
  • 型号/规格：

    IRGB4062DPBF

  • 品牌/商标：

    Infineon

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    21+

IRGP35B60PDPBF IGBT晶体管▊原装现货▊
IRGP35B60PDPBF IGBT晶体管▊原装现货▊
  • 型号/规格：

    IRGP35B60PDPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

TLP5701 IGBT/MOSFET 栅极驱动光耦
TLP5701 IGBT/MOSFET 栅极驱动光耦
  • 型号/规格：

    TLP5701

  • 品牌/商标：

    东芝

  • 供应：

    供应IGBT/MOSFET

  • 类别：

    栅极驱动光耦

IRGIB10B60KD1P IR的IGBT管（全塑封）
IRGIB10B60KD1P IR的IGBT管（全塑封）
  • 型号/规格：

    IRGIB10B60KD1P

  • 品牌/商标：

    IR

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插

  • MPQ：

    100

  • 环保方式：

    无铅环保

  • 包装方式：

    管装

MACMIC全新IGBT模块MMGTU100S120B6C型号齐全 欢迎选购
MACMIC全新IGBT模块MMGTU100S120B6C型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    MMGTU100S120B6C

  • 品牌/商标：

    MACMIC宏徽

  • 环保类别：

    普通型

  • 封装材料：

    树脂封装

  • 封装外形：

    其他

  • 关断速度：

    普通

  • 散热功能：

    其它

  • 频率特性：

    1

IGBT 模块APTGT50SK170T1G原装
IGBT 模块APTGT50SK170T1G原装
  • 型号/规格：

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商标：

    Microsemi

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 集电极—发射极电压 VCEO：

    1.7 kV

  • 在25 C的连续集电极电流：

    75 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • Pd-功率耗散：

    312 W

IGBT模块BSM150GX120DN2
IGBT模块BSM150GX120DN2
  • 型号/规格：

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

FGH40T120SMD IGBT管 TO247 三极管
FGH40T120SMD IGBT管 TO247 三极管
  • 型号/规格：

    FGH40T120SMD

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO247-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 类型：

    功率三极管

  • 库存：

    现货

IGBT模块FS100R12KT3
IGBT模块FS100R12KT3
  • 型号/规格：

    FS100R12KT3

  • 品牌/商标：

    infineon

英飞凌600/IGBT模块天津公司45,/两单元/ /BSM50GB60DLC/BSM75GB60DLC /BSM100GB60DLC /BSM150GB60DLC/BSM200GB60DLC /BSM300GB60DLC /FF200R06KE3 /FF300R06KE3 / FF400R06KE3 / 英飞凌模块1200V系列/IGBT/模块：BSM...

原装60A 1000V双极型晶体管IGBT FGA25N120ANTD
原装60A 1000V双极型晶体管IGBT FGA25N120ANTD
  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 包装：

    管装

三菱IGBT CM75TJ-24F
三菱IGBT CM75TJ-24F
  • 型号/规格：

    CM75TJ-24F

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

CM150DY-12NF IGBT 三菱功率模块
CM150DY-12NF IGBT 三菱功率模块
  • 型号/规格：

    CM150DY-12NF

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    普通型

  • 数量：

    500

IXGH72N60A3 IXYSIGBT 晶体管
IXGH72N60A3 IXYSIGBT 晶体管
  • 型号/规格：

    IXGH72N60A3 

  • 品牌/商标：

    IXYS

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体：

    SMD/SMT

  • 封装：

    Reel

STGF20H60DF IGBT 沟槽型场截止
STGF20H60DF IGBT 沟槽型场截止
  • 型号/规格：

    STGF20H60DF

  • 品牌/商标：

    ST(意法半导体)

  • 封装：

    TO-220F

  • 批号：

    1824+

  • 包装方式：

    盒带编带包装

INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
  • 型号/规格：

    BSM35GP120

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

全新原装，公司现货。 BSM35GP120 参数： 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 否 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.4 V 在25 C的连续集电极...

一站式配单服务IGBT模块MG400Q1US41
一站式配单服务IGBT模块MG400Q1US41
  • 型号/规格：

    MG400Q1US41

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 类别：

    IGBT模块

FF75R12RT4 逆变电源IGBT模块 75A/1200V
FF75R12RT4 逆变电源IGBT模块 75A/1200V
  • 型号/规格：

    FF75R12RT4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装外形：

    平板型

  • 参数：

    75A1200V

富士IGBT模块1MBI300NN-120 1MBI400NN-120 1MBI300NP-120
富士IGBT模块1MBI300NN-120 1MBI400NN-120 1MBI300NP-120
  • 型号/规格：

    1MBI300NN-120

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

FP50R12KT3 进口英飞凌7单元IGBT模块
FP50R12KT3 进口英飞凌7单元IGBT模块
  • 型号/规格：

    FP50R12KT3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 批号：

    2019

  • 工作：

    -10

  • 包装：

    标准包装

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  • 目录

    IGBT

IGBT技术资料

  • 什么是IGBT？IGBT的原理

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。　　与MOSFET相比，IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

  • IGBT 应用笔记

    利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

  • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

    MOSFET 和 IGBT 技术　　由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。　　IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行，在其...

IGBT相关产品

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