P-DIT/塑料双列直插
SGH80N60UFD
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
P沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
CER-DIP/陶瓷直插
IRG*C20SPBF
N-FET硅N沟道
C-MIC/电容话筒*
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
品牌:INFINEON/英飞凌型号:IKW40N120T2种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大材料:N-FET硅N沟道型号:IKW40N120T2 40A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = ...
电话:86 010 64711980
手机:13911852303
SKKT92/16E、SKKT92/18E
SEMIKRON(西门康)
西门康可控硅模块(全控):SKKT15/06E、SKKT15/08E、SKKT15/12E、SKKT15/14E、SKKT15/16E、SKKT20/08E、SKKT20/12E、SKKT20/14E、SKKT20/16E、SKKT20B08E、SKKT20B12E、SKKT20B14E、SKKT20B16E、SKKT27/08E、SKKT27...
电话:010-51095778
手机:18611799788
DIM1200FSS12-A
Dynex
无铅*型
电话:010-87995668-87995880
手机:18600503441
LUH100G1201Z
SP/*外形
LS/产电
A/宽频带放大
ALGaAS铝镓砷
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:010-62615935
大
大功率
普通
二*
4
75(A)
带散热片
高频
电话:86 010 62934802
手机:13552347677
INFINEON/英飞凌
IHW40N60T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:010-82675645
Siemens/西门子
6SY7000-0AD50
双向
二*
金属封装
螺旋形
普通
带散热片
电话:010-85725636
FS400R07A1E3
Infineon
无铅*型
电话:010-85791747
手机:13910762622
未提供
三菱,富士,西门康,EUPEC/英飞凌
无铅*型
电话:010-82772263
FS800R07A2E3
英飞凌
普通型
电话:010-85791747
手机:18611148896
品牌:HONGFA/宏发 型号:HFS22/PM150D120 封装:塑料 批号:2010 营销方式:* 产品性质:新品 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模HFS22功率模块(IGBT PM)是一种体积小、更易使用的功率器件,适用于马达控制、电焊机、...
电话:10-82614282
品牌:日本OTC 型号:DM350/500 作用原理:逆变产品说明1、采用OTC*的IGBT逆变控制技术大副度*了逆变器主频率(输出频率*80KHZ)2、采用OTC新研发的数字式电子电*器控制,实现全电流的*稳定焊接3、电弧特性的选择广泛,...
电话:010-69259392
电话:010-82758315
应用范围:隔离 种类:电流互感器 品牌:耀华德昌 型号:K*4271 封装形式:环氧树脂电感 绕线形式:小型固定式 安装方式:PCB安装 额定电流:12(mA)单价再商定 咨询热线: 郭经理
电话:010-58482915
品牌:Mitsubishi三菱 型号:CM300DY-12H CM300E3Y-12E 应用范围:整流桥、高压硅我公司代理销售以下IGBT模块,价格有优势,大量现货库存三菱IGBT GTR IPM PIM二*管可控硅整流桥CM300HA-12H CM200HA-24H CM400HA-12H CM30...
电话:010-82398845
品牌:三菱 型号:*60AM-20 批号:000220 封装:原装 营销方式:现货 产品性质:* 工作温度:0~70(℃)*60AM-2060A/1000V IGBT 单管*75SM-12*30M-1230A/600V IGBT 单管*15SM-2415A/1200V IGBT 单管*35SM-8200A/400V IGBT ...
电话:010-82490395
否
通用
INFINEON/英飞凌
MINI
IKA10N60T
单相/三相A*40(V)
10.4(kW)
内置RFI滤波器
电话:010-62416534
电话:010-82517355
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。 IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...