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IGBT

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源头工厂
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  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    SGH80N60UFD

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRG*C20SPBF

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    C-MIC/电容话筒*

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

    品牌:INFINEON/英飞凌型号:IKW40N120T2种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大材料:N-FET硅N沟道型号:IKW40N120T2 40A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = ...

    • 型号/规格:

      SKKT92/16E、SKKT92/18E

    • 品牌/商标:

      SEMIKRON(西门康)

    西门康可控硅模块(全控):SKKT15/06E、SKKT15/08E、SKKT15/12E、SKKT15/14E、SKKT15/16E、SKKT20/08E、SKKT20/12E、SKKT20/14E、SKKT20/16E、SKKT20B08E、SKKT20B12E、SKKT20B14E、SKKT20B16E、SKKT27/08E、SKKT27...

    • 型号/规格:

      DIM1200FSS12-A

    • 品牌/商标:

      Dynex

    • *类别:

      无铅*型

    • 型号/规格:

      LUH100G1201Z

    • 封装外形:

      SP/*外形

    • 品牌/商标:

      LS/产电

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 功率:

    • 功率特性:

      大功率

    • 关断速度:

      普通

    • *数:

      二*

    • 针脚数:

      4

    • 额定正向平均电流:

      75(A)

    • 散热功能:

      带散热片

    • 频率特性:

      高频

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格:

      IHW40N60T

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      Siemens/西门子

    • 型号/规格:

      6SY7000-0AD50

    • 控制方式:

      双向

    • *数:

      二*

    • 封装材料:

      金属封装

    • 封装外形:

      螺旋形

    • 关断速度:

      普通

    • 散热功能:

      带散热片

    • 型号/规格:

      FS400R07A1E3

    • 品牌/商标:

      Infineon

    • *类别:

      无铅*型

    • 型号/规格:

      未提供

    • 品牌/商标:

      三菱,富士,西门康,EUPEC/英飞凌

    • *类别:

      无铅*型

    • 型号/规格:

      FS800R07A2E3

    • 品牌/商标:

      英飞凌

    • *类别:

      普通型

      品牌:HONGFA/宏发 型号:HFS22/PM150D120 封装:塑料 批号:2010 营销方式:* 产品性质:新品 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模HFS22功率模块(IGBT PM)是一种体积小、更易使用的功率器件,适用于马达控制、电焊机、...

        品牌:日本OTC 型号:DM350/500 作用原理:逆变产品说明1、采用OTC*的IGBT逆变控制技术大副度*了逆变器主频率(输出频率*80KHZ)2、采用OTC新研发的数字式电子电*器控制,实现全电流的*稳定焊接3、电弧特性的选择广泛,...

          品牌:EUPEC 型号:SKM200GB124D 应用范围:逆变器1200V,200A,二单元IGBT

            应用范围:隔离 种类:电流互感器 品牌:耀华德昌 型号:K*4271 封装形式:环氧树脂电感 绕线形式:小型固定式 安装方式:PCB安装 额定电流:12(mA)单价再商定 咨询热线: 郭经理

              品牌:Mitsubishi三菱 型号:CM300DY-12H CM300E3Y-12E 应用范围:整流桥、高压硅我公司代理销售以下IGBT模块,价格有优势,大量现货库存三菱IGBT GTR IPM PIM二*管可控硅整流桥CM300HA-12H CM200HA-24H CM400HA-12H CM30...

                品牌:三菱 型号:*60AM-20 批号:000220 封装:原装 营销方式:现货 产品性质:* 工作温度:0~70(℃)*60AM-2060A/1000V IGBT 单管*75SM-12*30M-1230A/600V IGBT 单管*15SM-2415A/1200V IGBT 单管*35SM-8200A/400V IGBT ...

                • 是否提供加工定制:

                • 应用范围:

                  通用

                • 品牌:

                  INFINEON/英飞凌

                • 产品系列:

                  MINI

                • 型号:

                  IKA10N60T

                • 额定电压:

                  单相/三相A*40(V)

                • 适配电机功率:

                  10.4(kW)

                • 滤波器:

                  内置RFI滤波器

                  品牌:西门康 型号:IGBT 封装形式:功率型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

                  IGBT行业资讯

                  什么是IGBT?

                  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
                  • IGBT

                  IGBT技术资料

                  • 什么是IGBT?IGBT的原理

                    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。  与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

                  • IGBT 应用笔记

                    利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

                  • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

                    MOSFET 和 IGBT 技术  由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。  IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...

                  电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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