GLOBALFOUNDRIES详细介绍22纳米及更小尺寸的先进技术
GLOBALFOUNDRIES日前介绍了一种创新技术，该技术可以克服推进高k金属栅（HKMG）晶体管的一个主要障碍，从而将该行业向具有更强计算能力和大大延长的电池使用寿命的下一代移动设备推进了一步。众所周知，半导体行业一直致力于克服似乎难以...
分类：业界要闻 时间：2009/6/18 阅读：983
台积电自40纳米制程顺利量产后，积极向下世代制程技术28纳米制程演进，据了解，台积电内部正积极着手28纳米制程研发进入量产阶段，同时也规划将于7月正式发表28纳米制程技术的设计流程(Designflow)10.0版本，开始正式向客户提供设计套件...
分类：名企新闻 时间：2009/5/26 阅读：754
22纳米制程微显影曝光设备业者Mapper传出设备进度递延，Mapper目前是与台积电在新世代半导体曝光设备合作最密切的业者之一，Mapper的进度递延已经让原本预期进驻台积电的22纳米多重电子束(MultipleE-beam)设备向后延期。台积电
分类：业界要闻 时间：2009/5/19 阅读：738
联电法说会公布第2季展望，其中出货将较第1季增加至少1.1倍，产能利用率由于急单需求回升将回复到75%水平，较第1季30%可说大跃进，联电预估毛利率也将回升到20%，营运转亏为盈。不过联电强调，2009年全年资本支出低于4亿美元的预估并未改...
分类：名企新闻 时间：2009/5/4 阅读：726
据PRNewswire消息，奇梦达的美国分公司近日宣布正式邀请顾问公司来帮助出售其位于美国弗吉尼亚州Sandston的12英寸生产线，并已得到破产法院的批准。顾问公司中包括有ATREG、EmeraldTechnology和高盛。顾问公司已经开始接触
分类：名企新闻 时间：2009/4/23 阅读：251 关键词：生产线
KLA-Tencor推出TeraScanXR为32纳米节点提供平面光罩检测能力
2009年4月6日讯，KLA-Tencor公司今天推出了TeraScanXR，为32纳米节点提供高分辨率的光罩、虚像(aerial-plane)和晶圆平面(wafer-plane)检测能力。这款新的系统是对现有TeraScan光罩检测系统的一个扩展
分类：名企新闻 时间：2009/4/9 阅读：326
为了使集成电路组件的性能跟上摩尔定律(Moore’sLaw)，集成电路设计人员在驱动技术节点缩小化时必需减缓RC迟滞效应。为达到器件尺寸缩小所带来的应有的性能，进而增加45纳米以下导线间的空间缩小所带来的挑战。在过去几年里，研究人员研...
分类：业界要闻 时间：2009/3/31 阅读：1247
MIPS宣布40纳米USB 2.0实体层IP获USB-IF/台积电
IP供应商MIPSTechnologies宣布,该公司的40纳米USB2.0高速实体层(PHY)IP已获得USB设计论坛(USB-IF)认证，并符合台积电(TSMC)的TSMC900040纳米LP制程标准。MIPS拥有全球数量最多的USBIP认证，
分类：名企新闻 时间：2009/3/24 阅读：983 关键词：USB
据DigiTimes网站报道，大陆本土半导体设备业者中微半导体尽管在与国际大厂应用材料(AppliedMaterials)及科林研发(LamResearch)官司缠讼之中，但开拓市场脚步未停歇，目前45纳米蚀刻机台已经打入台积电12寸厂，正在进行设
分类：名企新闻 时间：2009/3/2 阅读：1357
SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术是世界上体积最小的闪存芯片
全球闪存供货商SanDisk（NASDAQ:SNDK）和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB3bits/单元（3-bits-per-cell）(X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC)NAND快闪存储器。该项
分类：名企新闻 时间：2009/2/16 阅读：309 关键词：NAND
据赛迪网报道，英特尔计划在未来两年里投资70亿美元升级其在美国的工厂。这个迹象表明经济衰退还没有消灭芯片厂商追求设备的欲望。英特尔首席执行官欧德宁本周二在华盛顿的讲话中宣布的这个投资表明半导体行业需要保持大量的投资，尽管糟...
分类：名企新闻 时间：2009/2/13 阅读：232 关键词：英特尔
据国外媒体报道，Inter10日召开新闻发布会，首次演示了全款基于Nehalem架构的32纳米“Westmere”芯片，并宣布，32纳米处理器制造技术已经取得进展，即将投入生产。当天早些时候，总裁兼CEO保罗·欧德宁(PaulOtellin
分类：名企新闻 时间：2009/2/12 阅读：255 关键词：处理器
据比特网报道，继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片...
分类：名企新闻 时间：2009/2/9 阅读：1200
在不断寻求NAND闪存领域的技术，SanDisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而SanDisk的合作伙伴，东芝(Toshiba)公司也据称将要在2009年下半年发布纳米的NANA芯片。其他公司或许也会推出的NAND产品，
分类：名企新闻 时间：2009/1/15 阅读：778 关键词：NAND
为了促进纳米电子学的发展，奥尔巴尼大学的纳米学院已经被授予半导体研究公司(SemiconductorResearchCorporation,SRC)的领导地位。这项在去年2月开始的为期3年、投资750万美元的计划由SRC以及纽约州共同投资，奥尔巴尼
分类：业界要闻 时间：2009/1/6 阅读：611
