据中时电子报报道，台积电年底40纳米即将导入量产，对次世代32纳米技术也有了新规划，除了提供一般型及低功耗的32纳米技术外，近期业内已传出将提供高介电金属闸极（High-KMetalGate，HKMG）技术，此举等同于可提供中央处理器（CPU）代工
分类：业界要闻 时间：2008/9/3 阅读：703 关键词：AMD
据国外媒体报道，蓝色巨人IBM联合其芯片研发合作伙伴AMD于近日发布了一则重磅消息，两家合作生产出了首批采用22纳米工艺技术的SRAM芯片产品，这成功地挑战了英特尔在该领域的地位。据了解22纳米工艺的芯片还只是未来3年以后的产品，但是I...
IBM周一宣布，已生产出22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元。SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备，速度更快、体积更小且技术更复杂，主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SRA
IBM周一宣布，已生产出22纳米工艺SRAM（静态存储器）单元。据国外媒体报道，SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备，速度更快、体积更小且技术更复杂，主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体...
IBM联合联盟厂商AMD，意法半导体，Freescale，以及东芝，Nanoscale科学工程大学发布首款基于22纳米技术制程生产的SRAM芯片，该芯片将会在其位于纽约州Albany的300毫米研发工厂进行测试和试产。22纳米技术于当前的芯片制
近日FSI公司宣布，一家重要的半导体制造商在32纳米集成电路制造的后段(BEOL)清洗能力开发中，选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过优中选优，最终认定FSI的技术32纳米器件制造所预期的各项新要求。IC制造商正在寻求的用于32纳米器件的
分类：业界要闻 时间：2008/5/21 阅读：890
IBM公司称，按IBM公司测试标准，在同等工作电压条件下，与45纳米工艺芯片相比，用这种名为“high-k/metalgate”(HKMG)的新技术制造的32纳米芯片可使处理器性能改进30%，同...
分类：名企新闻 时间：2008/4/24 阅读：1132 关键词：IBM
英特尔公司在本届嵌入式系统大会（EmbeddedSystemsConference）上宣布，45纳米英特尔®酷睿™2双核处理器E8400可为嵌入式应用提供长达7年的生命周期支持。这款处理器同时还支持英特尔®可信执行技术（
据AMD公司工程师透露，目前正在商讨新的逻辑12核心处理器，据了解这款产品AMD将在明年发布。对于目前的计划，AMD透露今年能够看到6核45纳米技术的Dunnington处理器，而几个月后的Shanghai将直接将核心数量和提高到12个。据了解，代
IBM公司近日向外界展示了32纳米芯片技术，新技术可提高手机和高性能服务器所用芯片的性能，并大大降低功耗。IBM公司称，按IBM公司测试标准，在同等工作电压条件下，与45纳米工艺芯片相比，用这种名为“high-k/metalgate”（HKMG)的
分类：行业趋势 时间：2008/4/16 阅读：719 关键词：IBM
据国外媒体报道，IBM公司周一向外界展示了32纳米芯片技术，新技术可提高手机和高性能服务器所用芯片的性能，并大大降低电力消耗。IBM公司称，按IBM公司测试标准，在同等工作电压条件下，与45纳米工艺芯片相比，用这种名为“high-k/metalg...
借鉴国际俱乐部模式打造先进研发平台 上海投入11.5亿元建英12寸65至45纳米级产品中试线
本月，浦东张江高科技园区高斯路边，一处3000平方米的现代化厂房即将结构封顶。这片集成电路净化厂房，由上海集成电路研发中心投入11.5亿元建设，将诞生一条具有业内水平的“12英寸65至45纳米级”产品中试线，成为沪上集成电路公共研发的
分类：业界要闻 时间：2008/4/14 阅读：950
DRAM市场再度传出工艺转换不顺遂的消息！根据业界透露，韩国半导体大厂海力士(Hynix)2007年第4季度导入66纳米工艺，由于良率持续不顺，近期有3,000万颗的1Gb容量DDR2传出报废，对海力士产出影响约10%；下游业者表示，此事影响以合约
分类：名企新闻 时间：2008/4/8 阅读：736 关键词：DDR2
英特尔2008上海IDF开幕 杨叙指出45纳米技术堪比越王勾践剑
今日，英特尔2008上海IDF正式在上海国际会议中心开幕。此次IDF在上海举办是继去年北京IDF之后，英特尔春季IDF第二次在中国首发。英特尔公司全球副总裁、中国大区总经理杨叙在演讲中演示了一段越王勾践剑的视频，杨叙指出，英特尔公司发展...
分类：名企新闻 时间：2008/4/3 阅读：778 关键词：英特尔
海力士半导体将采用54纳米技术 2012年将全部采用300毫米生产技术
海力士半导体首席执行官KimJong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：895 关键词：半导体
