Cadence助力TSMC设计参考流程8.0版，加速45纳米芯片设计
Cadence设计系统公司与台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）日前宣布Cadence正在为TSMC参考流程8.0提供重要功能。这种新的参考流程解决了45纳米的设计难题，为晶粒内变异提供了统计时序分析、与自动化的可制造性设计（DFM）热点修整，
分类：业界要闻 时间：2007/7/18 阅读：1295 关键词：TSMC
据媒体报道，AMD近日与台积电签订协议，双方将在微处理器领域展开深度合作。FBR近日公布的一份研究报告表示，台积电在获得AMD的高端CPU订单后，公司业务将获得进一步发展。根据该计划，台积电将为AMD制造45nm工艺的CPU，订单将于2008年第...
7月3日消息，AMD反驳了将45纳米制程Phenom处理器的发布日期推迟到2008年季度的说法，据业界消息人士称，这款期待已久的新产品已无法按原定计划于今年第四季度发布。据DigiTimes报道，主板业界消息人士称，Phenom处理器推迟发布的
采用低成本45纳米及以上工艺，瑞萨改进CMIS*1晶体管性能
瑞萨科技公司（Renesas）日前宣布，开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善...
分类：名企新闻 时间：2007/7/4 阅读：196 关键词：晶体管
瑞萨科技利用新的低成本45纳米及以上工艺制造技术改进晶体管性能
重新设计的P型晶体管采用两层金属栅极，N型晶体管采用多晶硅栅极，以实现全球水平的驱动性能2007年6月15日，瑞萨科技（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）
分类：名企新闻 时间：2007/6/29 阅读：1321 关键词：晶体管
TI创新芯片材料技术突破漏电问题领跑45纳米乃至更高工艺技术
日前，德州仪器(TI)宣布计划在其的高性能45纳米芯片产品的晶体管中采用高k材料。多年以来，人们一直考虑用高k介电层来解决漏电或耗用功率问题，随着晶体管日趋小型化，这一问题已变得日益严重。与通常采用的硅氧化层(SiO2)栅介电层相比，...
分类：新品快报 时间：2007/6/27 阅读：283
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布，开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构改善了CMIS晶体管的性能。像以前的
分类：新品快报 时间：2007/6/27 阅读：1031 关键词：晶体管
Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能
瑞萨科技宣布开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。...
分类：新品快报 时间：2007/6/26 阅读：777 关键词：晶体管
6月25日，据台湾媒体报道，AMD近日更新的台式机处理器规划蓝图信息显示，公司计划2008年第四季度推45纳米处理器。据悉，首批上市的AM3处理器将分为玩家级FX版本及普通版本。AMD随后将推出45纳米双核AM3处理器Propus、Regor及单核
6月25日消息，据台湾媒体报道，在AMD近日更新的台式机处理器规划蓝图中，45纳米技术的导入时间已正式敲定2008年第四季度。根据此前外电消息，AMD早在2003年下半年就公布了有关45纳米的规划，当时预计最早在2007年推出45纳米处理器。AMD
意法半导体(ST)将推出用于SoC的45纳米CMOS设计平台，其目标是低功耗、无线和便携式消费电子应用，并且该公司称首批的演示用芯片设计包括一种先进的双核CPU系统和相关的存储器体系。意法半导体制造和技术研发执行副总裁LaurentBosson在一
分类：新品快报 时间：2007/6/25 阅读：855 关键词：SoC
意法半导体(ST)将推出用于SoC的45纳米CMOS设计平台，其目标是低功耗、无线和便携式消费电子应用，并且该公司称首批的演示用芯片设计包括一种先进的双核CPU系统和相关的存储器体系。意法半导体制造和技术研发执行副总裁LaurentBosson在一
日本松下电器产业公司周二表示，该公司已开始以45纳米制程生产系统芯片，成为全球最早量产45纳米微芯片的企业。松下目前在日本中部厂房同时生产45及65纳米芯片，并计划将该厂产能提高。
分类：名企新闻 时间：2007/6/20 阅读：247 关键词：松下
日本东京，2007年6月18日—（ACNNewswire）—富士通公司和富士通实验室今天宣布了他们在45纳米(45nm)LSI逻辑芯片的平台工艺方面的成果，该成果将低功耗和高性能互联技术结合在一起。与早期45纳米工艺的数据相比，新平台将待机状态下出
分类：业界要闻 时间：2007/6/20 阅读：635 关键词：富士通
日本松下电器产业公司周二表示，该公司已开始以45纳米制程生产系统芯片，成为全球最早量产45纳米微芯片的企业。松下目前在日本中部厂房同时生产45及65纳米芯片，并计划将该厂产能提高。
