Phison Electronics 首席执行官 KS Pua 在最近的一次会议上表示，进一步降低 NAND 价格是不可行的。他同时警告说，如果市场没有复苏，供应商可能会破产。DigiTimes 报道，...
分类：业界动态 时间：2023/5/9 阅读：850 关键词：NAND Flash
据台媒报道，三星电子将在今年第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比，该数字减产了 5.34%。 特别是在第二季度，这家韩国半导体巨头在西...
分类：名企新闻 时间：2023/4/20 阅读：620 关键词：三星电子
在三星电子最近宣布减产后，DRAM 和 NAND 闪存现货价格正在反弹。不过，今年上半年整个行业复苏的可能性很小。 市场研究公司DRAM eXchange 4月13日公布，当天16Gb DDR4 ...
TrendForce：预计2Q23 NAND Flash的ASP将继续下跌，收窄至5~10%
尽管NAND供应商持续减产，但仍供过于求，需求疲软。 TrendForce 预计Q2，PC客户端SSD降价5~10% 企业级SSD价格跌幅将收窄至8~13% eMMC价格将下降5~10% UFS 价格...
分类：行业趋势 时间：2023/4/6 阅读：2128 关键词：SSD
铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度，使开发人员能够构建高性能存储子系统（例如 业...
分类：新品快报 时间：2023/4/3 阅读：567 关键词：3D NAND闪存
美光亏损23.12亿美元，DRAM和3D NAND需求急剧下降
美光2023财年第二季度 张贴 收入同比下降近53%，并表示由于对3D NAND和DRAM的需求仍然疲软，其收益将在当前季度进一步下降。该公司不得不减记价值数十亿美元的库存，并表示...
SSD 价格能降到多低？TrendForce预计NAND价格将继续下跌
由于需求疲软持续，市场研究人员 趋势力量 预计NAND闪存的平均售价（ASP）将在23年第二季度进一步下降5-10%。今年下半年似乎有一个支点，供需可能平衡，并可能出现转机。很...
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世
SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。 据tomshardware报道，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发...
分类：名企新闻 时间：2023/3/22 阅读：332 关键词：SK海力士
SK海力士的300层3D NAND可提高SSD性能并降低成本
SK海力士最近发布了有关其第8代3D NAND存储设备的详细信息，该设备具有300多个有源层。该公司的新型3D NAND设备将使其能够在2024年至2025年的某个时间范围内提高SSD的性能...
分类：新品快报 时间：2023/3/20 阅读：524 关键词：SK海力士
据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示，2020年起，NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长，2021年，NAND闪存市场份额达到了近670亿美元（见图1），同年，NAND闪存总容量...
分类：行业趋势 时间：2023/1/11 阅读：1629 关键词：NAND闪存
美光推出采用 232 层 NAND 技术的全球最先进客户端 SSD
全新美光 2550 SSD 带来非凡的 PCIe 4.0 性能和卓越的用户体验 Micron Technology, Inc.近日宣布，已向全球个人电脑原始设备制造商（OEM）客户出货适用于主流笔记本电脑...
分类：名企新闻 时间：2022/12/15 阅读：397 关键词： NAND 技术的
本周，DRAM市场需求持续下降，整体现象没有反转，众多工厂保守购货，成交萧条 模组现货价格参考： KST DDR4 8G 2666 $19.80 KST DDR4 16G 2666...
分类：维库行情 时间：2022/12/3 阅读：1608 关键词：DRAMNAND Flash
2022年Q3季度DRAM/NAND Flash市场营收排名出炉
根据 闪存市场数据2022年第三季度各大厂DRAM/NAND Flash市场营收排名出炉 NAND Flash市场营收 1.三星Q3季度NAND Flash市场营收43.3亿元，环比减少28.1% 2.铠侠Q...
分类：业界动态 时间：2022/11/21 阅读：612 关键词：DRAMNAND Flash
星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中zui高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 作为quan球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上...
分类：新品快报 时间：2022/11/8 阅读：1483
三星已经开始量产最高储存密度的1TBTCL第8代V-NAND。输入其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒）
分类：名企新闻 时间：2022/11/7 阅读：184 关键词：V-NAND
