铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度，使开发人员能够构建高性能存储子系统（例如 业...
分类：新品快报 时间：2023/4/3 阅读：482 关键词：3D NAND闪存
三星美光SK海力士均发布128层3D NAND闪存芯片，堆叠之争再次升级？
第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠(原东芝存储)、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞...
近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首...
采用Xtacking架构，长江存储启动64层3D NAND闪存量产
紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存①，以满足固态硬...
分类：业界要闻 时间：2019/9/2 阅读：1600 关键词：Xtacking架构长江存储闪存
紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司，也是目前进度的，去年小规模生产了32层堆栈的3DNAND闪存，前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博...
分类：名企新闻 时间：2019/4/17 阅读：922
东芝和西数正研发128层3D NAND闪存：最早2020年上市
根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这...
分类：业界动态 时间：2019/3/8 阅读：769
西数东芝宣布128层3D NAND闪存：单颗512Gb 或命名为BiCS-5
西部数据（WD）和东芝（Toshiba）已经开发出了 128 层 @ 512Gbit 容量的 3D NAND（又称 TLC）缓存。如果沿续此前的命名习惯，我们可以把它叫做 BiCS-5 。因为 BiCS-4 为 96...
分类：新品快报 时间：2019/3/8 阅读：946
英特尔中国大连二期工厂投产：投资55亿，主产96层3D NAND闪存
在英特尔的转型业务中，存储芯片业务未来会占据更多的比重，尽管目前营收的主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的，也就是IMFT公司，不过IMFT现在...
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。 SK海...
国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产？对于国产你期待吗？
紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露，紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年...
记者获悉，8月23日，首届中国国际智能产业博览会重庆开幕。会上，紫光集团遴选出近百枚芯片，组成一面"紫光芯片大观"墙，涵盖从手机各类SoC到物联网芯片、FPGA等多个领域。其中32层3D NAND闪存芯片备受瞩目，这是紫光集团旗下长江存储耗...
分类：名企新闻 时间：2018/8/24 阅读：605 关键词：NAND闪存芯片
历时两年！首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产
近日，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。 刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国...
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。其中仍在使用TLC的东芝公司发布一款三级单元...
分类：新品快报 时间：2018/7/25 阅读：518 关键词：3D NAND闪存
近年来内存大战一直未曾停息，今年的内存上涨的价格也是屡创历史新高。为此，许多的内存厂商都准备扩产 NAND闪存规模。三星就是最激进的一个，在在3D NAND闪存市场的巨额投...
市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，、SK等韩企的3D 在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容...
分类：业界动态 时间：2017/5/6 阅读：234 关键词：NAND
