SK 海力士今天宣布，继 2022 年 8 月开发完成后，其 238 层 4D NAND 闪存已开始量产，并且正在与全球智能手机制造商进行产品兼容性测试。 SK海力士表示，“SK海力士采用...
SK 海力士准备 HBM3E 内存：比 HBM3 速度提升 25%
SK 海力士 宣布推出 其 HBM3 内存的增强版，将数据传输速率提高 25%，从而为使用这种优质 DRAM 的应用程序提供相当大的性能提升。为人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 开发...
分类：名企新闻 时间：2023/5/31 阅读：552 关键词：SK 海力士
SK海力士5月25日宣布，在美国内华达州拉斯维加斯举行的戴尔科技世界2023 IT展上展示了其最新的内存技术和产品 DTW 是美国电子巨头戴尔科技公司举办的规模最大的年度盛会...
分类：名企新闻 时间：2023/5/26 阅读：427 关键词：SK 海力士
根据了解，韩国证券机构NH Investment & Securities近期发表了关于芯片行业的分析，说明，在三大厂商的减产，存储芯片需求将在2023年第三季度回升，预计在2033年的全年...
据金融时报引述知情人士消息称，拜登政府已向三星电子及SK海力士释放信号，表明将允许这两大韩国存储芯片公司的中国芯片厂再享有至少一年的缓冲期 ，期间可免受出口管制影...
据报道，SK海力士推迟了其在中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据报道，这一决定是为了应对内存市场需求萎缩和美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。 数码时代，援引韩国媒体的话说。此外，由于向中国进口晶圆厂设备的问题，SK海力士甚至...
分类：名企新闻 时间：2023/4/26 阅读：342 关键词：SK海力士
SK 海力士开发出世界首款 24GB HBM3 12 堆叠 DRAM 芯片
SK 海力士通过在世界上首次垂直堆叠 12 个独立的 DRAM 芯片，开发出具有世界最高容量 24 GB 的新 HBM3 产品。HBM 代表高带宽内存。预计在快速增长的生成人工智能 (AI) 市场...
尽管存在信息泄露问题，三星电子和 SK 海力士仍可能申请补贴
根据美国商务部的 CHIPS 法案，全球半导体制造商要获得价值 520 亿美元（约合 68 万亿韩元）的补贴，情况变得更加复杂。 SK 海力士跟随全球最大代工企业台湾台积电以及...
根据了解，SK海力士推迟在中国大连建设的新晶圆厂的完工时间，此前SK海力士的新工厂在去年5月开工建设，预计在一年内完工，最初时间表是在今年4月-5月之前完工。 SK 海...
分类：名企新闻 时间：2023/4/23 阅读：299 关键词：SK海力士
美国政府要求三星电子和 SK 海力士提供机密信息和数据，以换取补贴。 有业内人士表示，这些公司最终很可能会效仿美国，因为与美国在产业上的合作必不可少，他们将进一步...
SK海力士首席执行官兼副董事长朴正浩表示，由于美国政府要求企业以Excel文件形式提交商业机密的盈利指标和收益率，公司正在考虑是否根据CHIPS法案申请补贴。 Park 在公司年度股东大会后对记者说，这对公司来说可能会减轻负担，因为美...
根据外媒报道，sk海力士将该团队迁到首尔，更为了加强芯片的生产后端零部件和设备的采购，还将采购团队分为前端团队和后端团队。 之所以迁至首尔主要是国外客人，更加容易...
分类：名企新闻 时间：2023/3/28 阅读：304 关键词：SK海力士
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世
SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。 据tomshardware报道，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发...
分类：名企新闻 时间：2023/3/22 阅读：279 关键词：SK海力士
SK海力士的300层3D NAND可提高SSD性能并降低成本
SK海力士最近发布了有关其第8代3D NAND存储设备的详细信息，该设备具有300多个有源层。该公司的新型3D NAND设备将使其能够在2024年至2025年的某个时间范围内提高SSD的性能...
分类：新品快报 时间：2023/3/20 阅读：465 关键词：SK海力士
三星电子和 SK 海力士——正在加速 3D DRAM 的商业化，据说这将改变内存行业的游戏规则。而在DRAM产业中排名第三的美光，自2019年就已经开始了3D DRAM的研究，获得的专利数...
