三星公布了工艺技术路线图

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2023-06-29 11:50:28 | 494 次阅读

    根据外媒报道,三星 在 2023 年年度三星代工论坛 (SFF) 上公布了 更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025 年和 2027 年在其 2 纳米和 1.4 纳米级节点上生产芯片。此外,该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 GaN 芯片。
    三星预计其 SF2(2nm 级)制造技术可将功率效率提高 25%(在相同频率和晶体管数量下),将性能提高 12%(在相同功率和复杂性下),并将面积减少 5%该公司在 SFF 2023 上透露,与SF3(第二代 3nm 级)相比(在相同晶体管数量下)  。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 SoC,并于 2026 年跟进 HPC 增强型 SF2P 节点同时,SF1.4(1.4nm级)制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。
    为了使其 SF2 节点更具竞争力,三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 SF2 IP,包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等接口。
    三星还计划在未来几年提供专门的制造工艺。其中包括 2027 年为汽车应用量身定制的 SF2A,以及 2025 年的 5nm 射频 (RF) 节点。与当前一代 14nm RF 工艺相比,即将推出的 5nm RF 预计将功率效率提高 40%,并将晶体管密度提高约 50% 。
    三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (GaN) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用,从消费电子产品到数据中心和汽车行业。
关键词:三星

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