Sofics发布基于台积电3nm工艺的ESD技术

类别：名企新闻　出处：网络整理　发布于：2023-10-26 10:35:51 | 195 次阅读

　根据外媒报道， FinFET 技术中的接口 ESD 保护具有挑战性：ESD 灵敏度非常高，而传统的 ESD 解决方案不再有效。幸运的是，Sofics 的专有钳位现已在硅中得到验证，可以保护 FinFET 电路免受 ESD 事件的影响。
　　“得益于我们通过开放创新平台 (OIP) IP 联盟与 TSMC 的密切合作，Sofics 工程师于今年早些时候将我们专有的 ESD 和 I/O 产品组合转移到了 TSMC 的 3nm 工艺技术，其中包括新颖的钳位器，其性能优于参考解决方案，减少了夹紧面积减少了 66%。”
　　TSMC 客户可以利用 Sofics 独特的解决方案来实现更高的电路性能、更高的鲁棒性，并减少 SoC 设计的设计时间和成本。
　　“SoC 和小芯片设计人员需要定制模拟 I/O 或 ESD 单元，用于高速或无线接口、低功耗、3D 封装或耐高压焊盘等应用。经过硅验证的定制 ESD 单元在任何先进技术中都能创造独特的重复价值。”Koen Verhaege 说道。
　　Sofics ESD 解决方案的关键方面包括传统电压容差、超低泄漏、小面积和低寄生电容。该 IP 可用于保护敏感的核心接口免受静电放电影响。有针对各种电压域和接口类型的解决方案。
　　Sofics 随时提供 TakeCharge 单元以及强大的 I/O 解决方案。您可以在 Sofics 的网站上找到有关 FinFET ESD 和模拟 I/O 解决方案的更多信息。

关键词：台积电

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