SEMI 表示，前端设施的 300 毫米晶圆厂设备支出预计明年将突破 1000 亿美元，到 2027 年将达到 1370 亿欧元。
300毫米晶圆厂设备投资预计到2025年将增长20%，达到1165亿美元，2026年增长12%，达到1305亿美元，然后在2027年创下历史新高。
“对未来几年 300 毫米晶圆厂设备支出的陡峭增长的预测反映了满足不同市场对电子产品不断增长的需求以及人工智能 (AI) 创新催生的新一波应用所需的生产能力，” SEMI 执行官 Ajit Manocha 表示：“的 SEMI 报告还强调了政府增加半导体制造投资对于促进全球经济和安全的至关重要性。这一趋势预计将有助于显着缩小重新崛起和新兴地区与亚洲历史上支出地区之间的设备支出差距。”
在政府激励措施和国内自给自足政策的推动下，中国将继续引领晶圆厂设备支出，未来四年每年投资 300 亿美元。
在高性能计算（HPC）前沿节点扩展和内存市场复苏的支持下，台湾和韩国芯片供应商正在增加设备投资。
台湾地区的设备支出预计将从 2024 年的 203 亿美元增加到 2027 年的 280 亿美元，第二，而韩国预计到 2027 年将以 263 亿美元的价格第三，比今年的 195 亿美元有所增加。
美洲 300 毫米晶圆厂设备投资预计将翻一番，从 2024 年的 120 亿美元增至 2027 年的 247 亿欧元，而日本、欧洲和中东以及东南亚的支出预计将达到 114 亿美元、112 亿美元、 2027 年分别为 53 亿美元和 53 亿美元。
代工领域支出预计今年将下降 4%，至 566 亿美元，部分原因是成熟节点（>10nm）投资预计放缓，尽管该领域继续在所有领域中保持增长，以满足市场对生成式 AI 的需求，汽车和智能边缘设备。
预计从 2023 年到 2027 年，该部门的设备支出将实现 7.6% 的复合年增长率 (CAGR)，达到 791 亿美元。
对人工智能服务器至关重要的更高数据吞吐量的需求正在推动对高带宽内存（HBM）的强劲需求，并刺激对内存技术的投资增加。
在所有细分市场中，内存第二，预计 2027 年设备投资将达到 791 亿美元，自 2023 年起复合年增长率为 20%。DRAM 设备支出预计将在 2027 年增至 252 亿美元，复合年增长率为 17.4%，而 3D 设备支出预计将在 2027 年增至 252 亿美元，复合年增长率为 17.4%。预计 2027 年 NAND 投资将达到 168 亿美元，复合年增长率为 29%。
预计到 2027 年，模拟、微型、光电和分立器件领域的 300 毫米晶圆厂设备投资将分别增加至 55 亿美元、43 亿美元、23 亿美元和 16 亿美元。
SEMI 2027 年 300 毫米晶圆厂展望报告列出了全球 405 个设施和生产线，其中包括 75 个预计将在 2024 年开始的四年内开始运营的高概率设施。
该报告反映了自 2023 年 12 月上次发布以来的 358 项更新和 26 个新晶圆厂/生产线项目
