根据外媒报道，HBM（高带宽内存）再次成为人们关注的焦点。 SK海力士在2025年3月17日至21日（美国时间）在美国加利福尼亚州圣何塞举办的GTC（GPU技术大会）2025活动上，展出了用于AI服务器的12层HBM3E设备。该公司还发布了目前正在开发的12层HBM4，并透露已完成2025年下半年量产的准备工作。
　　另一家主要内存制造商美光科技 (Micron Technology) 表示，其 HBM 芯片在人工智能和高性能计算 (HPC) 应用方面的需求非常强劲。该公司运营官苏米特·萨达纳 (Sumit Sadana) 向路透社表示：“我们的 2025 年 HBM 芯片已经售罄。”
　　HBM 本质上是一种 3D 结构，它将 DRAM 芯片垂直堆叠在逻辑芯片顶部，利用先进的封装技术（例如硅通孔 (TSV)）并使用硅中介层与处理器互连。事实证明，它非常适合 HPC/AI 工作负载等并行计算环境。
　　这是因为 HBM 可以同时处理 GPU 或 AI 加速器中各个核心的多个内存需求，支持工作负载的并行处理。事实上，HBM 已经成为消除数据密集型 HPC 和 AI 工作负载中内存瓶颈的主要手段。如果没有 HBM，AI 处理器就会因内存瓶颈而无法得到充分利用。
　　SK 海力士HBM，接近售罄
　　韩国芯片制造商 SK 海力士日前向投资者表示，由于其内存产品的强劲需求以及首批 HBM4 样品的提前交付，其前景光明。
　　据韩国媒体报道，该公司执行官郭鲁廷在此前的股东大会透露，公司即将就 2026 年高带宽存储器 (HBM) 的销售进行谈判。此类谈判即将结束，这被视为一个信号，即 SK 海力士明年生产的所有 HBM 都将在一块芯片出厂前售出。
　　该公司今年也取得了同样的成就，反映了 Nvidia 等公司对 HBM 的需求，这些公司依靠快速内存来使其 GPU 正常运行。
　　会议上，高管们还表示，近几周订单激增，希望能够赶在美国对进口半导体征收关税之前完成订单。
　　美国总统唐纳德·特朗普表示，他将对进口芯片征收 25% 的关税，并且该税率“将在一年内大幅提高”。他还提到了50% 和 100% 的关税。
　　总统已预告将于 4 月 2 日发布有关关税的重要公告。
　　据报道，Kwak 还在会上表示，SK 海力士预计 HBM 销售将出现“爆炸式”增长。当被问及中国公司 DeepSeek 明显使用普通硬件来生产强大模型是否构成威胁时，他显然认为 DeepSeek 将引发更广泛的 AI 应用，这意味着更多买家对 SK 海力士产品的需求将增加。
　　当被问及人工智能泡沫是否正在形成以及如果泡沫破裂将会发生什么时，这几乎成为了提供运行人工智能工作负载所需技术的公司领导的标准回答。
　　这家韩国芯片制造商明年出货的部分产品可能将是 12 层 HBM4，该公司上周表示已出货了该产品的首批样品。
　　该公司吹嘘说：“样品是提前交付的”，并表示“目标是在今年下半年完成 12 层 HBM4 产品量产的准备工作”。
　　该内存设计用于每秒处理超过 2TB 的数据，比上一代 HBM3E 快 60% 以上。
　　到 2035 年销量将增长 15 倍
　　HBM 设备的关键在于持续开发以提高 AI 加速器的性能。当前一代 HBM3E 设备使用微凸块和底部填充的热压缩来集成 DRAM 芯片。美光、三星电子和 SK 海力士等 HBM 制造商正在向 HBM4 设备过渡，并采用先进的封装技术（例如混合键合和 Cu-Cu 键合），以实现更高的输入/输出能力、更低的功耗、更好的散热效果和更小的电极尺寸。
　　市场研究公司 IDTechEx 的报告预测，到 2035 年，HBM 的销量预计将比 2024 年增加 15 倍。
　　2024年，HBM作为可以突破AI处理器内存障碍的技术引起了广泛关注。随着 HBM4 存储设备的出现，预计这一趋势将持续到 2025 年后。