Littelfuse新推瞬态抑制二极管阵列，保护几何尺寸为28nm及以下的芯片组免受ESD损害
Littelfuse, Inc.推出了0.9pF ±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）系列产品。 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，为可能遭受破坏性...
分类：新品快报 时间：2017/9/26 阅读：734 关键词：Littelfuse二极管
东芝电子(Toshiba)近日宣布推出TVS二极管DF2SxxP2一系列6个产品开始依序量产及出货，其系列产品可保护行动装置中所使用的电源线供应器接头及USB电源线。 DF2SxxP2系列是采用东芝自有的齐纳二极管制程，确保瞬间吸收ESD(静电放电)或噪声的动...
电子网消息，全球电路保护领域的企业 ，今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管（SPA?二极管）中的产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压，用于保护低压电源总线免受静电...
分类：新品快报 时间：2017/8/23 阅读：918 关键词：Littelfuse二极管
Littelfuse新推具有高浪涌耐受性的瞬态抑制二极管阵列
Littelfuse, Inc.作为全球电路保护领域的企业，今日宣布推出一个瞬态抑制二极管阵列（SPA?二极管）产品系列，旨在保护PoweredUSB接口的直流电线免受破坏性静电放电（ESD）损坏。SP11xx系列瞬态...
分类：新品快报 时间：2017/7/13 阅读：590 关键词： 二极管阵列Littelfuse
Diodes推出SDT 萧特基二极管系列，使用先进的深槽工艺，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的 29 个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二...
Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可加强ESD、CDE、EFT与雷击感应浪涌保护
Littelfuse, Inc，作为全球电路保护领域的企业，今日宣布推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列（SP...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：488 关键词：Littelfuse
Littelfuse新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littel...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：335 关键词：Littelfuse二极管
美高森美的快速恢复二极管取得了面向汽车市场的AEC-Q101资格
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司（Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q1...
Littelfuse推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列
Littelfuse, Inc.推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制...
分类：新品快报 时间：2017/6/7 阅读：677 关键词：Littelfuse二极管
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
意法半导体推出的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V...
ST推出新款的MDmesh MOSFET，内置快速恢复二极管
意法半导体推出的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 ...
分类：新品快报 时间：2017/5/25 阅读：595 关键词：ST
ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度
ST推出的 Dk5功率管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下面就随小编一起来了解...
ST推出新款的MDmesh MOSFET，内置快速恢复二极管，提升高能效转换器的功率密度
意法半导体推出的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 ...
意法半导体推出的1200V碳化硅二极管，兼备出色的能效和先进的稳健性
2A - 40A 1200V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。意法半导体2A - 40A 1...
2A - 40A V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速复和稳定的温度特性。 意法的碳化硅制程可以制造出稳健性极高、正向同级(VF)...
