英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：487 关键词：英飞凌
Toshiba - 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该产品于今日...
时间：2023/7/10 阅读：277
Toshiba - 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMO...
时间：2023/7/5 阅读：185
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电...
分类：新品快报 时间：2023/6/30 阅读：529
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、...
分类：新品快报 时间：2023/6/14 阅读：559 关键词：MOSFET
Toshiba - 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH9R00CQ5具...
时间：2023/4/19 阅读：275 关键词：MOSFET
Toshiba - 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏...
分类：新品快报 时间：2023/3/10 阅读：496 关键词：N沟道功率MOSFE
Infineon - 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极...
分类：新品快报 时间：2023/2/23 阅读：393 关键词：英飞凌
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装...
分类：新品快报 时间：2023/2/3 阅读：374
ShinDengen - 发售四款性能指数削减24%的第四代功率MOSFET的新型号
新电元工业株式会社的功率MOSFET“EETMOS4系列”四款新型号已开始量产。该系列通过采用新结构芯片和Cu-Clip，以5×6mm尺寸的小型封装实现了低损耗和大电流化，在电池驱动设备的各种电机驱动电路、各种电源电路、继电器等用途中有助于各种家电的小型...
时间：2022/7/4 阅读：209 关键词：电子
ShinDengen - 发售符合AEC-Q101的高耐压900V 功率MOSFET
新电元工业株式会社已开始发售符合车载可靠性标准AEC-Q101的功率MOSFET“P3FH90VX3”,“P5FH90VX3”这两款产品。 本产品耐900V高压，最适合用于xEV用DC/DC转换器控制电源的主开关和放电电路开关。 ■概要 近年来，随着防止...
时间：2022/7/4 阅读：188 关键词：电子
ShinDengen - 符合AEC-Q101标准、削减40%导通电阻的第4代功率MOSFET
新电元工业株式会社发售的符合车载可靠性标准AEC-Q101 的功率MOSFET“EETMOS4系列”产品阵容又新增4款型号。该系列产品均为5×6mm尺寸的小型封装，同时实现了低损失和大电流化，为各种发动机的驱动电路、各种电源电路、继电器用途等各种应用的小型...
时间：2022/7/4 阅读：204 关键词：电子
Toshiba东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用zui新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。 ...
分类：新品快报 时间：2022/5/16 阅读：340 关键词：MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（ToshibaElectronicDevices&StorageCorporation，简称“东芝”）推出了150VN沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用很...
分类：新品快报 时间：2022/4/7 阅读：1540
东芝推出采用很新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150VN沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用很新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和...
分类：新品快报 时间：2022/4/1 阅读：2823
