NVIDIA和AMD两大图形巨头的主流GPU都是由台积电（TSMC）代工台积电技术再度迈进一大步，11日在美国华盛顿特区举办的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文，宣布其第1颗32奈米制程测试芯片已正式通过内部功能验证，未来将可同时支持单芯片中...
分类：名企新闻 时间：2007/12/13 阅读：771
IMEC 32nm研发成员齐努力 平面CMOS及FinFET技术取得新突破
在日前举行的2007年IEEE国际电子器件会议（2007IEDM）上，欧洲微电子研究机构IMEC公布了平面CMOS及FinFET器件研究进展。IMEC表示，在32nm节点中，铪基高k介质及TaC金属栅极的应用显著提高了平面CMOS的性能；通过在
Mattson再获日本存储大厂订单 先进设备助力65nm量产及32nm研发
半导体设备供应商MattsonTechnology日前宣布，再次收到日本存储器制造商关于Suprema(TM)剥离设备及Helios(TM)快速热退火设备订单。所订购设备将用于300mm工厂中65nmNAND闪存芯片的量产。另外这家芯片制造
分类：名企新闻 时间：2007/12/12 阅读：843
由IBM领导的通用平台联盟日前计划加大在32nm节点半导体封装技术方面的投资力度，包括特许和三星在内的九成员联盟表示在此领域的资本支出将提高两倍。IBM半导体解决方案拟部门总经理MichaelCadigan表示，通用平台联盟一向重点开发的半导体
分类：名企新闻 时间：2007/11/14 阅读：170 关键词：IBM
由IBM领导的通用平台联盟日前计划加大在32nm节点半导体封装技术方面的投资力度，包括特许和三星在内的九成员联盟表示在此领域的资本支出将提高两倍。IBM半导体解决方案拟部门总经理MichaelCadigan表示，通用平台联盟一向重点开发的半导体
分类：名企新闻 时间：2007/11/13 阅读：671 关键词：IBM
Spansion 300mm晶圆厂投入量产，22nm产品已列入制造规划
上个月，Spansion的SP1工厂开始采用MirroBit技术在300mm晶圆上生产65nm产品。SP1是该公司个300mm工厂，据称投资了12亿美金，坐落在该公司位于会津若松市JV3工厂的旁边。在新闻发布会期间，记者来到了这个自动化程度非常
分类：名企新闻 时间：2007/10/30 阅读：606
MolecularImprintsInc.(MII)声称东芝公司已经确认在开发22nmCMOS器件的过程中采用其纳米注入蚀刻技术。目前尚不清楚东芝公司是否将把纳米注入工具集成到它的22纳米及以上工艺的生产厂中。在这个节点，东芝还开发了其它的蚀刻技术
分类：名企新闻 时间：2007/10/26 阅读：653
Intel公布45/32nm工艺，为服务器和PC提供更小尺寸芯片
Intel近日推出了两款采用45nm和32nm级工艺技术生产的硅晶圆，这两款晶圆有望为下一代服务器和PC生产尺寸更小、效率更高的芯片。Intel首席执行官PaulOtellini预计这些创新会为Intel公司推进微处理器、内存和图形芯片的性能创造机
半导体元件与材料国际会议“2007InternationalConferenceonSolidStateDevicesandMaterials（SSDM）”于2007年9月19日在日本筑波开幕。在内存技术云集的“AdvancedMemoryTe
微处理器供货商AMD和内存芯片商奇梦达(Qimonda)宣布，双方正合作进行一项锁定32纳米及以下节点CMOS制程芯片的仿真(simulation)计划。这项计划名为SIMKON，瞄准设计周期中的早期仿真阶段。通过执行SIMKON计划，两家公司将节
PULLNANO联盟公布32/22nm CMOS技术节点突破性成果
欧盟委员会第6框架计划(FP6)下PULLNANO项目组日前公布了多项与32nm和22nmCMOS技术平台相关的重大研究成果，其中包括实现了一个采用32nm设计规则的功能CMOSSRAM（静态随机存取存储器）演示单元。PULLNANO是一个由38个
分类：业界要闻 时间：2007/7/30 阅读：786 关键词：CMOS
近日，IBM和意法半导体联合宣布，双方已经达成合作协议，将共同研发32nm、22nmCOMS300mm晶圆半导体制造工艺。作为合作协议的一部分，双方都将在对方的生产工厂设立一个技术开发小组。IBM位于纽约EastFishkill和Albany的半导
分类：业界要闻 时间：2007/7/27 阅读：860 关键词：半导体
德国化学产品公司BASF与IBM计划采用正在开发阶段的32nm节点工艺技术，合作开发IC生产所需的专用电子材料。这两家公司表示，工艺及其相关的化学产品和材料都将在2010年前由芯片制造商实现商业化。有关这次合作开发的财务或技术细节尚未透...
分类：名企新闻 时间：2007/7/9 阅读：894 关键词：IBM
瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，
分类：业界要闻 时间：2007/6/29 阅读：464 关键词：SRAM
采用硅绝缘体晶圆，Renesas有望采用32nm工艺实现SRAM
RenesasTechnology公司日前宣布，该公司拥有利用硅绝缘体(SOI)晶圆、采用32nm及以上工艺实现SRAM的技术。Renesas指出，该技术可以控制各个晶体管的底层电压，提高了工作极限。Renesas表示，该技术适合带逻辑电路的片上内
