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AIXTRON参与开发22nm CMOS工艺 负责提供三五族器件集束性设备

AIXTRON近日宣布参与一个新型半导体研究项目,项目名为“22nm以下节点高性能逻辑器件的双道CMOS(DUALLOGIC)”,此项目将有利于扩大锗和三五族化合物半导体在CMOS电路中的优势,项目开始于去年,为期三年。该项目交由希腊国家特种超细粉

分类:业界要闻 时间:2008/2/18 阅读:1319 关键词:CMOS

联手AMD、IBM 东芝加入32nm芯片开发阵营

援引路透社东京报道,当地时间本周二,日本东芝公司对外宣布,它将加入一个由IBM公司领导的国际联盟,使用32nm技术开发系统芯片。如今,芯片制造商们纷纷联合起来,协作开发以降低开发成本。东芝加入IBM领衔的32nm产业联盟加入该32nm产业...

分类:名企新闻 时间:2007/12/19 阅读:943 关键词:AMDIBM

NEC发布32nm工艺布线技术 层间绝缘膜所有层可连续成膜

据日经BP社报道,NEC发布了通过降低层间绝缘膜所有层的低介电率(low-k)从而实现连续成膜的32nm工艺用布线技术。栅绝缘膜采用可抑制Cu扩散的low-k材料。布线的有效介电常数(keff)由原来的2.9降至2.75。采用可与SiOCH膜连续成

分类:名企新闻 时间:2007/12/19 阅读:702 关键词:NEC

东芝加入IBM联盟共同研发32nm工艺

日本东芝公司周二宣布,将加入IBM领军的集团,共同研发32纳米半导体制造工艺。IBM领导的这个联盟囊括了多个半导体巨头。其中有美国AMD公司、韩国三星电子公司、新加坡特许半导体公司、德国英飞凌公司和美国飞思卡尔半导体公司。据报道,...

分类:名企新闻 时间:2007/12/19 阅读:549 关键词:IBM

台积电开发出32nm工艺低功耗SoC的CMOS技术 证实2Mbit SRAM可正常工作

据日经BP社报道,台积电(TSMC)开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC(系统级芯片)的CMOS技术,并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting(2007IEDM)”上进行了发布。试

分类:名企新闻 时间:2007/12/18 阅读:775 关键词:SoCSRAM

台积电开发出32nm工艺低功耗SoC的CMOS技术 已确认2Mbit SRAM可正常工作

积电(TSMC)开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC(系统级芯片)的CMOS技术,并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting(2007IEDM)”上进行了发布。试制了2MbitSRA

分类:名企新闻 时间:2007/12/17 阅读:613 关键词:SoCSRAM

台积电32nm技术试产成功!09年可量产

NVIDIA和AMD两大图形巨头的主流GPU都是由台积电(TSMC)代工台积电技术再度迈进一大步,11日在美国华盛顿特区举办的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文,宣布其第1颗32奈米制程测试芯片已正式通过内部功能验证,未来将可同时支持单芯片中...

分类:名企新闻 时间:2007/12/13 阅读:791

IMEC 32nm研发成员齐努力 平面CMOS及FinFET技术取得新突破

在日前举行的2007年IEEE国际电子器件会议(2007IEDM)上,欧洲微电子研究机构IMEC公布了平面CMOS及FinFET器件研究进展。IMEC表示,在32nm节点中,铪基高k介质及TaC金属栅极的应用显著提高了平面CMOS的性能;通过在

分类:业界要闻 时间:2007/12/12 阅读:724 关键词:CMOSFinFET

Mattson再获日本存储大厂订单 先进设备助力65nm量产及32nm研发

半导体设备供应商MattsonTechnology日前宣布,再次收到日本存储器制造商关于Suprema(TM)剥离设备及Helios(TM)快速热退火设备订单。所订购设备将用于300mm工厂中65nmNAND闪存芯片的量产。另外这家芯片制造

分类:名企新闻 时间:2007/12/12 阅读:852

IBM通用平台联盟加大32nm节点封装技术投资

由IBM领导的通用平台联盟日前计划加大在32nm节点半导体封装技术方面的投资力度,包括特许和三星在内的九成员联盟表示在此领域的资本支出将提高两倍。IBM半导体解决方案拟部门总经理MichaelCadigan表示,通用平台联盟一向重点开发的半导体

分类:名企新闻 时间:2007/11/14 阅读:182 关键词:IBM

IBM通用平台联盟加大投资 研发32nm节点封装技术

由IBM领导的通用平台联盟日前计划加大在32nm节点半导体封装技术方面的投资力度,包括特许和三星在内的九成员联盟表示在此领域的资本支出将提高两倍。IBM半导体解决方案拟部门总经理MichaelCadigan表示,通用平台联盟一向重点开发的半导体

分类:名企新闻 时间:2007/11/13 阅读:681 关键词:IBM

Spansion 300mm晶圆厂投入量产,22nm产品已列入制造规划

上个月,Spansion的SP1工厂开始采用MirroBit技术在300mm晶圆上生产65nm产品。SP1是该公司个300mm工厂,据称投资了12亿美金,坐落在该公司位于会津若松市JV3工厂的旁边。在新闻发布会期间,记者来到了这个自动化程度非常

分类:名企新闻 时间:2007/10/30 阅读:619

东芝公司采用纳米注入蚀刻技术开发22nm器件

MolecularImprintsInc.(MII)声称东芝公司已经确认在开发22nmCMOS器件的过程中采用其纳米注入蚀刻技术。目前尚不清楚东芝公司是否将把纳米注入工具集成到它的22纳米及以上工艺的生产厂中。在这个节点,东芝还开发了其它的蚀刻技术

分类:名企新闻 时间:2007/10/26 阅读:665

Intel公布45/32nm工艺,为服务器和PC提供更小尺寸芯片

Intel近日推出了两款采用45nm和32nm级工艺技术生产的硅晶圆,这两款晶圆有望为下一代服务器和PC生产尺寸更小、效率更高的芯片。Intel首席执行官PaulOtellini预计这些创新会为Intel公司推进微处理器、内存和图形芯片的性能创造机

分类:新品快报 时间:2007/10/22 阅读:693 关键词:Intel服务器

东芝谈无电容器DRAM的未来 微细化目标是32nm工艺

半导体元件与材料国际会议“2007InternationalConferenceonSolidStateDevicesandMaterials(SSDM)”于2007年9月19日在日本筑波开幕。在内存技术云集的“AdvancedMemoryTe

分类:业界要闻 时间:2007/9/25 阅读:865 关键词:DRAM电容器