2nm工艺资讯-维库电子市场网【第3页】

据日经BP社报道，富士通研究所与富士通微电子联合开发出了能够以低成本制造32nm工艺CMOS的方法。该方法只在pMOS中导入通过完全硅化（FUSI）形成的金属栅极。因追加工序而增加的成本不足1％。与45nm工艺相比，CMOS高速版的耗电量可减少20

分类：新品快报时间：2008/6/20 阅读：1103 关键词：CMOS 富士通

美国IBM与新加坡特许半导体制造（CharteredSemiconductorManufacturing）联合发表了32nm工艺代工服务的发展蓝图。根据公布的蓝图，两公司已于4月4日开始提供宏设计使用的工艺设计工具包（PDK），从2008年9月起，

分类：名企新闻时间：2008/4/23 阅读：951 关键词：IBM

据日经BP社报道，NEC发布了通过降低层间绝缘膜所有层的低介电率（low-k）从而实现连续成膜的32nm工艺用布线技术。栅绝缘膜采用可抑制Cu扩散的low-k材料。布线的有效介电常数(keff)由原来的2.9降至2.75。采用可与SiOCH膜连续成

分类：名企新闻时间：2007/12/19 阅读：730 关键词：NEC

日本东芝公司周二宣布，将加入IBM领军的集团，共同研发32纳米半导体制造工艺。IBM领导的这个联盟囊括了多个半导体巨头。其中有美国AMD公司、韩国三星电子公司、新加坡特许半导体公司、德国英飞凌公司和美国飞思卡尔半导体公司。据报道，...

分类：名企新闻时间：2007/12/19 阅读：581 关键词：IBM

据日经BP社报道，台积电（TSMC）开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC（系统级芯片）的CMOS技术，并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting（2007IEDM）”上进行了发布。试

分类：名企新闻时间：2007/12/18 阅读：821 关键词：SoC SRAM

积电（TSMC）开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC（系统级芯片）的CMOS技术，并在半导体制造技术国际学会“2007InternationalElectronDevicesMeeting（2007IEDM）”上进行了发布。试制了2MbitSRA

分类：名企新闻时间：2007/12/17 阅读：653 关键词：SoC SRAM

Intel近日推出了两款采用45nm和32nm级工艺技术生产的硅晶圆，这两款晶圆有望为下一代服务器和PC生产尺寸更小、效率更高的芯片。Intel首席执行官PaulOtellini预计这些创新会为Intel公司推进微处理器、内存和图形芯片的性能创造机

分类：新品快报时间：2007/10/22 阅读：747 关键词：Intel 服务器

半导体元件与材料国际会议“2007InternationalConferenceonSolidStateDevicesandMaterials（SSDM）”于2007年9月19日在日本筑波开幕。在内存技术云集的“AdvancedMemoryTe

分类：业界要闻时间：2007/9/25 阅读：898 关键词：DRAM 电容器

RenesasTechnology公司日前宣布，该公司拥有利用硅绝缘体(SOI)晶圆、采用32nm及以上工艺实现SRAM的技术。Renesas指出，该技术可以控制各个晶体管的底层电压，提高了工作极限。Renesas表示，该技术适合带逻辑电路的片上内

分类：名企新闻时间：2007/6/25 阅读：989 关键词：SRAM 绝缘体

NovellusSystems(诺发系统)日前推出SABRE电镀填充系统系列产品中的产品SABREExtreme。新平台提供了经过改善的化学溶液、电镀工艺和新的硬件功能，以解决向32nm技术节点转变过程中出现的复杂问题。经验证，它的灵活性能适应

分类：名企新闻时间：2006/7/28 阅读：674

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