Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：82 关键词：Vishay
ASMPT-奥芯明将亮相SEMICON China 2026，先进封装赋能智能芯片变革
全球半导体行业年度盛会SEMICON China 2026将于3月25日至27日在上海新国际博览中心盛大开幕。作为中国半导体制造设备的领域的重要创新力量，“奥芯明（AoXinMing）×ASMPT”将以“智创‘芯’纪元”为主题，亮相上海新国际博览中心N4馆445...
时间：2026/3/20 阅读：50 关键词：ASMPT
铠侠宣布停产TSOP封装MLC NAND闪存，行业格局面临重塑
全球存储巨头铠侠电子(中国)有限公司近日正式发布通知，宣布将逐步停止生产采用"薄型小尺寸封装"(TSOP)的MLC NAND闪存产品。这一决定标志着存储行业一个重要时代的终结，也...
分类：业界要闻 时间：2026/3/20 阅读：26106
Onsemi-T2PAK：适用于汽车和工业高压应用的顶部散热封装
简介 安森美（onsemi）为强化其先进封装的电源产品组合，推出了两款面向汽车与工业高压（HV）应用的顶部散热封装——T2PAK和BPAK。这两款封装专为应对严苛工况而设计，与通过印刷电路板（PCB）散热的传统底部散热封装（如D2PAK和TOLL...
时间：2026/3/19 阅读：47 关键词：Onsemi
Molex莫仕推出Impress共封装铜缆解决方案，扩展近ASIC连接创新以满足下一代数据传输率需求
压缩式基板上连接器和电缆组件可在224Gbps PAM-4及更高速度下优化信号完整性和实现高效配电 Impress充分运用NearStack OTS提供的见解与工程专业知识，迄今已交付超过一百万台设备 紧凑小巧的外形和增强的耐用性可简化维护和升级，...
时间：2026/3/19 阅读：39 关键词：Molex
Bourns高电压、高能量GDT系列以精巧尺寸封装中提供业界领先的浪涌保护性能
全新GDT225HE系列通过UL认证，符合易受雷击的工业领域、再生能源及通信应用的高可靠度需求 Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出GDT225HE系列高电压、高能量气体放电管（GDT）避雷器。在精巧体积中提...
时间：2026/3/13 阅读：53 关键词：Bourns
ST-意法半导体微型驱动器助力小型家电设计：封装更小巧，布局更灵活
驱动器级创新产生重大突破，简化交流电源控制设计 意法半导体（STMicroelectronics）发布了一款体积非常紧凑的晶闸管栅极驱动器。新产品专为吹风机等交流电小家电开发设计，内置创新的隔离型变压器，可实现更简洁、更纤薄的电源设计。...
时间：2026/3/11 阅读：61 关键词：ST
在半导体行业面临物理极限的今天，荷兰光刻巨头ASML以颠覆性技术突破传统桎梏，其XT:260封装光刻机通过三大创新维度，为AI芯片性能提升开辟全新赛道。 微米级对齐技术：重构芯片互联密度 传统封装工艺如同用胶水粘合乐高积木，连接...
分类：业界动态 时间：2026/3/3 阅读：4708
积层陶瓷电容器:TDK推出封装尺寸3225、业界领先*的低电阻软端子C0G MLCC，容量为22 nF，电压1000 V
新型1000 V产品，在3225封装尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 mm–长x宽x高）中实现了22 nF电容，具有低电阻软端子型的C0G特性，适用于汽车及通用应用 有助于提升应用的可靠性、减少元件数量并实现小型化 符合AEC-Q200标准 产品的实际外观...
时间：2026/2/5 阅读：374 关键词：TDK
Bourns全新推出可提供ESD保护弹性的TVS二极管系列，采用节省空间的DO-214AB封装
全新系列包含21款单向与双向型号，工作峰值反向电压范围广，从12 V到30 V Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出5.0SMDJ系列瞬态电压抑制(TVS)二极管。新系列采用节省空间的紧凑型DO-214AB封装，专为行...
时间：2026/2/4 阅读：105 关键词：Bourns
PCB封装是元器件在PCB上的“占位符”，直接决定元器件能否精准焊接、布局是否合理、信号是否稳定，是衔接元器件选型与PCB布局的关键环节。封装设计不当，会导致元器件无法安装、焊接虚焊/连锡、引脚接触不良，甚至影响信号完整性，导致PC...
设计应用 时间：2026/3/24 阅读：335
MOSFET的封装不仅决定器件的物理尺寸、安装方式，更直接影响散热性能、电气特性、装配效率及成本控制，是电源设计、电机驱动等场景中不可或缺的关键环节。实际选型过程中，工程师常因对封装特性、场景需求把握不足，出现封装与需求不匹配...
基础电子 时间：2026/2/28 阅读：490
MOSFET的结温（Tj）是决定其寿命与可靠性的核心指标，当结温超过额定最大值（常规为150℃）时，会导致器件参数漂移、导通电阻增大，严重时引发热失控、芯片烧毁。在功率转换、电机驱动等高频高功耗场景中，散热设计的核心的是快速导出芯...
基础电子 时间：2026/2/24 阅读：312
IC芯片封装不仅是保护芯片内核、实现电气连接的核心载体，还直接决定芯片的安装方式、散热性能及焊接难度。工业生产、电子研发等场景中，工程师常因对封装形式不熟悉、焊接操作不规范，导致芯片虚焊、短路、损坏，影响产品良率与稳定性。...
基础电子 时间：2026/2/5 阅读：1745
二极管的封装不仅决定其安装方式、功率承载能力与适配场景，还直接影响散热效率；而散热设计则是保障二极管长期稳定工作、避免过热失效的关键。不同封装的二极管散热性能差异显著，需结合封装特性与工况需求针对性设计散热方案。本文梳理...
基础电子 时间：2026/1/26 阅读：274
电源IC的封装直接决定其安装方式、散热性能、功率承载能力及适配场景，是电源电路设计与器件选型的关键考量因素。不同封装形式在结构、尺寸、性能上差异显著，分别适配低压小功率、高压大功率、微型化高密度等不同需求，覆盖消费电子、工...
基础电子 时间：2026/1/21 阅读：356
封装作为MOSFET的“保护外壳与连接桥梁”，直接影响器件的散热性能、载流能力、安装方式及适配场景。不同封装类型在结构设计、功率承载、空间占用上差异显著，其选择需结合电路功率、布局空间、散热条件等核心需求。从传统插件到微型贴片...
基础电子 时间：2026/1/20 阅读：527
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET...
基础电子 时间：2025/11/19 阅读：1379
一、封装的核心要素 SMT封装通常由以下几部分定义： 尺寸和外形：长、宽、高、引脚数量。 引脚间距：相邻引脚中心点之间的距离，常见的有1.27mm， 0.8mm， 0.65mm， 0.5mm， 0.4mm等。间距越小，焊接难度越高。 命名规律：很...
基础电子 时间：2025/9/4 阅读：771
一、 非破坏性分析（NDA）首先在不破坏样品的前提下进行初步检查和定位。外观检查设备： 光学显微镜、立体显微镜、高倍率视频显微镜。技术： 检查封装体表面是否有机械损伤、裂纹、爆米花现象、标记异常、焊球氧化、坍塌或缺失等。X射线...
基础电子 时间：2025/8/27 阅读：596
