三星电子和SK海力士在第一季度表现不佳后，第二季度继续陷入困境。今年上半年，两家公司的累计赤字都达到了可观的数字，接近15万亿韩元（117.6亿美元）。尽管如此，由于NAND闪存产量减少以及DDR5和高带宽等人工智能相关高价值产品的需求激增，人们对今年下半年的潜在扭亏为盈重新抱有乐观态度内存（HBM）。
7月26日，SK海力士公布第二季度财务业绩，仅上半年累计亏损就超过6万亿韩元。据该公司披露，第二季度合并营收（按挂钩基础计算）为7.3059万亿韩元，营业亏损为2.8821万亿韩元。与去年同期相比，收入大幅下降47.1%，连续三个季度亏损。
继本月早些时候发布初步公告后，三星电子也将于 7 月 27 日正式发布第二季度业绩。初步数据显示，营业利润仍仅为6000亿韩元，预计仅半导体部门的营业亏损就在第一季度4.6万亿韩元的基础上，亏损3至4万亿韩元。
尽管亏损持续存在，但行业认为半导体市场已进入复苏阶段，运营亏损率逐渐下降就证明了这一点。以SK海力士为例，第二季度亏损规模较上一季度有所缩小，运营亏损率也从第一季度的67%改善至第二季度的39%。SK海力士财务官兼副总裁Kim Woo-hyun在财报电话会议上表示：“由于第二季度NAND价格持续下跌，公司确认库存估值损失约5000亿韩元。与上一季度相比，损失大幅减少。”
韩国产业联合会同日公布的8月份商业调查指数(BSI)也出现了令人鼓舞的迹象。包括半导体在内的电子和通信设备行业的 BSI 自 2022 年 9 月的 117.6 以来，11 个月来首次反弹至 100.0 的基线之上。
为了应对性能持续恶化的情况，SK海力士决定进一步削减NAND闪存产量。该公司的目标是将目前的产量水平削减约 5% 至 10%。Kim副总裁表示，“由于与DRAM相比，NAND的库存水平较高，而盈利能力较低，因此我们决定扩大现有NAND削减规模，以尽快使库存水平正常化。”
一些认为这种减少是提高盈利能力的一项措施。韩国产业技术研究院研究员 Kim Yang-paeng 表示：“由于竞争激烈，NAND 市场比 DRAM 市场更具挑战性。减产是主动削减成本、减少库存的一种方式，有利于缩小损失规模，提高盈利能力。然而，当产量在好转阶段大幅下降时，可能会产生相反的影响。”
此外，SK 海力士强调其致力于提供 HBM3 等高价值产品。该公司表示，“我们在HBM市场的早期阶段积累了经验和技术竞争力，并计划继续领先市场。” 它还强调，包括 HBM 在内的图形 DRAM 的收入已增长到 DRAM 总收入的 20% 以上。这主要归因于需要 HBM 的 AI 服务器销量增加和大容量 DDR5 模块，这两者都有助于提高 DRAM 平均售价（ASP）。
因此，SK 海力士似乎决心在今年下半年专注于提高 NAND 盈利能力并提高 HBM 销售。当天在清州工厂举行的沟通活动中，SK海力士社长Kwak Noh-jung宣布成立“HBM能力增强工作组”和“NAND盈利能力增强工作组”。
随着AI内存需求依然强劲，基于ChatGPT的AI内存市场预计今年下半年将继续扩大。电话会议上，当被问及HBM产品路线图时，SK海力士透露，计划于明年上半年开始量产第五代HBM产品HBM3E，第六代产品HBM4也将进入量产。 2026年。三星电子预计将在今年下半年推出第五代HBM3P等产品。
