台积电在采用 EUV 光刻工具进行量产方面领先于英特尔，但在高 NA EUV 系统方面，该公司似乎落后于其美国竞争对手。据《电子时报》和《联合报》报道，英特尔已将其 ASML 高 NA EUV 机器用于研发目的，并打算在未来两三年内使用高 NA EUV 光刻技术， 而 台积电将于本月晚些时候开始安装其首台高 NA EUV 工具用于 研发。
台积电首台 ASML Twinscan EXE:5000 是专为研发目的而设计的高数值孔径光刻系统，即将安装在台积电位于台湾新竹的全球研发中心。这家全球的芯片代工厂将于本月晚些时候开始接收该机器的零部件。台积电需要几个月的时间来组装和校准该设备，然后才能在其台湾研发中心测试下一代半导体生产技术。
台积电即将推出的工艺技术——N2（2nm 级）和 A16（1.6nm 级）——将完全依赖传统的 EUV 设备，其光学元件的数值孔径为 0.33（低 NA）。台积电早将在 2028 年左右或更晚的时候推出A14（1.4nm 级）工艺技术，其光学元件的数值孔径为 0.55 ，不过该公司尚未确认这一点。然而，由于高 NA EUV 光刻工具将光罩尺寸缩小了一半，因此它们的使用将给芯片设计人员和制造商带来额外的挑战，这也许就是台积电并未加速使用高 NA EUV 工具的原因。
台积电不急于采用高NA EUV 工具的另一个原因是其价格。正如该公司负责新工艺技术开发的 Kevin Zhang 今年早些时候指出的那样：他喜欢高NA 工具的性能，但不喜欢它的价格。
每台高数值孔径光刻机的成本约为 4 亿美元，但台积电总裁魏则西亲自协商，获得了近 20% 的折扣。此次降价是通过将新机器的购买与 ASML 的其他设备购买相结合实现的。考虑到台积电已经是 EUV 光刻系统的主要用户，估计拥有全球 65% 的 EUV 生产能力，ASML 肯定倾向于与这家代工厂达成交易，因为它已经是其的客户之一。
