消息称台积电首台高数值孔径 EUV 光刻工具将于本月开始安装

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2024-09-11 10:34:47 | 192 次阅读

  台积电在采用 EUV 光刻工具进行量产方面领先于英特尔,但在高 NA EUV 系统方面,该公司似乎落后于其美国竞争对手。据《电子时报》和《联合报》报道,英特尔已将其 ASML 高 NA EUV 机器用于研发目的,并打算在未来两三年内使用高 NA EUV 光刻技术, 而 台积电将于本月晚些时候开始安装其首台高 NA EUV 工具用于 研发。
  台积电首台 ASML Twinscan EXE:5000 是专为研发目的而设计的高数值孔径光刻系统,即将安装在台积电位于台湾新竹的全球研发中心。这家全球的芯片代工厂将于本月晚些时候开始接收该机器的零部件。台积电需要几个月的时间来组装和校准该设备,然后才能在其台湾研发中心测试下一代半导体生产技术。
  台积电即将推出的工艺技术——N2(2nm 级)和 A16(1.6nm 级)——将完全依赖传统的 EUV 设备,其光学元件的数值孔径为 0.33(低 NA)。台积电早将在 2028 年左右或更晚的时候推出A14(1.4nm 级)工艺技术,其光学元件的数值孔径为 0.55 ,不过该公司尚未确认这一点。然而,由于高 NA EUV 光刻工具将光罩尺寸缩小了一半,因此它们的使用将给芯片设计人员和制造商带来额外的挑战,这也许就是台积电并未加速使用高 NA EUV 工具的原因。
  台积电不急于采用高NA EUV 工具的另一个原因是其价格。正如该公司负责新工艺技术开发的 Kevin Zhang 今年早些时候指出的那样:他喜欢高NA 工具的性能,但不喜欢它的价格。
  每台高数值孔径光刻机的成本约为 4 亿美元,但台积电总裁魏则西亲自协商,获得了近 20% 的折扣。此次降价是通过将新机器的购买与 ASML 的其他设备购买相结合实现的。考虑到台积电已经是 EUV 光刻系统的主要用户,估计拥有全球 65% 的 EUV 生产能力,ASML 肯定倾向于与这家代工厂达成交易,因为它已经是其的客户之一。
关键词:台积电

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