据报道，三星电子将于 2028 年推出其下一代移动内存——用于优化设备上的 AI 的新型低功耗宽 I/O (LPW) DRAM。
　　LPW DRAM 专门针对高性能和低功耗，作为“移动高带宽存储器（HBM）”而备受关注。三星电子计划利用用于设备人工智能（AI）的下一代 LPW DRAM 巩固其作为第一大移动内存市场的地位。
　　三星电子DS部门CTO、半导体研究所所长宋在赫17日(当地时间)在美国旧金山举办的2025国际半导体会议(ISSCC)上发表主题演讲时宣布，“首款采用针对设备上AI优化的LPW DRAM的移动产品将于2028年发布”。这是三星电子首次披露LPW/LLW DRAM的具体上市日期。
　　LPW 被称为 LLW 或“自定义内存”。由于它作为下一代存储器正在兴起并且相关标准正在制定，因此业界使用了各种名称。然而，无论名称如何，目标都是一样的：增加输入/输出通道的数量并降低单个通道的速度，以降低功耗并提高性能。垂直引线键合（VWB）封装技术也在这里得到应用，该技术将电信号的路径从曲线转换为直线。
　　三星电子也提高了LPW DRAM的目标性能。LPW DRAM 的输入输出速度预计比的移动内存 LPDDR5X 快 166%，超过每秒 200 千兆字节（GB），而功耗则降低 54%，仅为每位 1.9 皮焦耳（pJ）。三星电子去年9月在台湾举办的‘Semicon Taiwan’上宣布LPW DRAM性能比LPDDR5X高出133％，在不到半年的时间内就提高了目标。
　　虽然宋总经理没有透露哪些设备将搭载LPW DRAM，但它很可能不仅用于智能手机，还将被用于各种设备上的AI设备。它很有可能被安装在需要极低功耗但又需要高AI计算需求的可穿戴设备中。
　　宋执行官表示：“使用传统方法很难找到同时实现性能和功耗的解决方案。”“我们将通过增加输入/输出端子和应用垂直引线接合来引领移动 AI 取得有意义的进展。”
　　SK 海力士正在开发一款 LPDDR5M 内存
　　SK 海力士开发了多种 LPDDR5 内存，这家韩国制造商还在技术上不断突破，推出了世界上速度快的 LPDDR5T RAM，速度可达 9.6Gbps。然而，该公司还致力于开发另一端的解决方案，其目标不仅是提供极快的速度，而且还注重效率。这就是为什么该公司一直在开发 LPDDR5M 内存，这是一种新标准，其工作电压低于 LPDDR5X，从而降低了功耗。
　　作为其为各种应用开发解决方案的努力的一部分，爆料人@Jukanlosreve在韩国网站 Money Today 上发现了一篇关于 SK 海力士计划进军节能移动 DRAM 领域的报道。LPDDR5M 标准的工作电压为 0.98V，低于 LPDDR5X 所需的 1.05V。这一差异使 LPDDR5M 内存能够以更高的速度运行，同时效率提高 8%。
　　新型内存很可能用于具有设备内置 AI 功能的智能手机，这些手机能够在本地运行密集操作，同时消耗更少的电量。该报告没有提到 SK 海力士将首先满足哪些客户的需求，但我们不会惊讶地得知，中国 OEM 将会成群结队地购买，因为他们已经采用了硅碳电池，由于容量增加，电池的运行时间更长。
　　然而，当苹果发布 C1（目前为iPhone 16e供电的定制 5G 调制解调器）时，其向大众展示高效解决方案的意图就已明确。iPhone 16e 在版本中放弃了高通的骁龙基带芯片，宣称其电池续航时间比任何其他 6.1 英寸 iPhone 都要长，这意味着采用 LPDDR5M RAM 来降低产品功耗可能符合苹果的利益。