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凌力尔特用N沟道MOSFET取代肖特基二极管

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管,并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或

分类:名企新闻 时间:2007/5/22 阅读:264 关键词:MOSFET二极管

凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管,并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或

分类:名企新闻 时间:2007/4/29 阅读:1876 关键词:MOSFET二极管

飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆

分类:新品快报 时间:2007/3/13 阅读:1640 关键词:MOSFET半导体等离子体显示板

凌特新型二极管“或”控制器可用于N沟道MOSFET

凌特公司(LinearTechnology)推出的-48V二极管“或”控制器——LTC4354适用于高可用性系统。该器件能控制冗余电源路径的外围N沟道MOSFET而非传统的“或”二极管,而且封装小,节省空间。LTC4354的工作电压达-80V。在电

分类:名企新闻 时间:2006/8/24 阅读:229 关键词:MOSFET二极管控制器

面向网络通信开关式转换器,IR推出N沟道MOSFET

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF

分类:业界要闻 时间:2006/7/14 阅读:1046 关键词:MOSFET转换器

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF

分类:业界要闻 时间:2006/7/12 阅读:1216 关键词:MOSFET转换器

安森美新推出NCP4330双N沟道MOSFET驱动器

全新NCP4330,双N沟道MOSFET驱动器,提高ATX和SMPS电源效率,比普通控制电路更有效地将5V功率序列转为3.3V输出。上海电子功率器件、智能传送、电源质量国际研讨会与博览会(PCIMChina2005)——全球的电源转换解决方案供

分类:新品快报 时间:2005/4/25 阅读:216 关键词:MOSFET安森美驱动器

飞兆推出80V N沟道MOSFET器件(图)

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类:新品快报 时间:2005/1/2 阅读:929 关键词:MOSFET

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SF58快恢复二极管

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