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WPG大联大品佳集团推出基于华邦电子产品的工业级Memory DRAM解决方案

致力于亚太地区市场的半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于华邦电子产品的工业级Memory DRAM解决方案。   大联大品佳代理的华邦电子的利基型动态随机存取内存专注中低密度,以高性能和高速度的特点,成为在消费、通信、计算...

分类:名企新闻 时间:2019/1/10 阅读:954 关键词:大联大品佳集团

投资与产能将同放缓,DRAM的未来靠什么?

2019年由于PC、伺服器与智能手机等终端产品需求疲软,因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步,以期减缓价格跌势。   DRAMeXchange指出,与实际位元生产量最相关的指标为各供应商的资本支...

分类:行业趋势 时间:2019/1/8 阅读:642 关键词:DRAM

2019年DRAM投资热情放缓,价格仍将下降

根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查,2018年第四季DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后,2019年由于个人计算机(PC)、服务器与智能型手机等终端产品需求疲软,因此DRAM主要供货商纷...

分类:行业趋势 时间:2019/1/4 阅读:728 关键词:DRAM

DRAM市场疲软,厂商纷纷放缓2019年投资计划

根据DRAMeXchange调查,2018年第四季度DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后,2019年由于PC、服务器与智能手机等终端产品需求疲软,因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步,以期减缓价格跌...

分类:业界动态 时间:2019/1/3 阅读:468 关键词:DRAM

存储器价格跌跌不休,三大DRAM厂商也遭不住了

2018年以来,越来越多的迹象显示,持续两年的存储芯片销售热潮正逐渐停止。年初开始,NAND闪存价格已出现疲软,并将持续到2019年。而DRAM内存价格也在今年三季度由涨转跌,平均价格跌幅达10-15%。三星、西部数据、美光、SK海力士等纷纷调整产出量、...

分类:业界动态 时间:2018/12/27 阅读:492 关键词:DRAM存储器

三星和英特尔都虎视眈眈,MRAM有何吸引力?

在第64届国际电子器件会议( IEDM )上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。   MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式随机存取记忆体),是一...

分类:业界动态 时间:2018/12/20 阅读:452 关键词:三星英特尔

ST - Karamba Security和意法半导体携手合作加强汽车信息安全保护

意法半导体和Karamba携手合作,在Telemaco3P的安全架构上附加了Carwall电子控制单元(ECU)安全强化软件。通过对非法修改尝试进行检测,和防止ECU预设行为偏离,该整合方案可有效地保护内容和运行过程的完整性验证,为车辆提供同类的网络安全功能。...

分类:名企新闻 时间:2018/12/17 阅读:481 关键词:半导体

DRAM未见春天,明年首季将继续跌

DRAM市场受美中贸易战、英特尔中央处理器(CPU)缺货比预期严重等负面因素干扰,市况冷飕飕。通路商透露,本季合约价跌幅高达一成,已较原预期高,近期下游降低备货,甚至反手出清库存,导致卖压加重,明年合约价首季跌幅恐持续扩大,预估价格跌势...

分类:维库行情 时间:2018/12/17 阅读:1648 关键词:DRAM

芯片封装的内存容量翻倍,单台智能手机容量可达12GB LPDRAM

芯片封装的内存容量翻倍,单台智能手机容量可达12GB LPDRAM美光科技股份有限公司今日宣布,其低功耗、双倍数据速率的单片式12Gb4X(LPDDR4x)DRAM已通过验证,适用于联发科技新一代Helio P90智能手机平台的参考设计。美光LPDDR4X能够为单台智能手机...

分类:业界动态 时间:2018/12/17 阅读:620 关键词:芯片智能手机

美光DRAM通过联发科Helio P90智能手机芯片组验证,内存容量翻倍

美光科技宣布,其低功耗、双倍数据速率的单片式12Gb 4X(LPDDR4x)DRAM已通过验证,适用于联发科技新一代Helio P90智能手机平台的参考设计。美光LPDDR4X能够为单台智能手机提供高达12GB1 的低功耗DRAM(LPDRAM)。它在单一封装中堆叠多达8块裸片,...

分类:业界动态 时间:2018/12/14 阅读:755 关键词:联发科智能手机

三星、英特尔加快嵌入式MRAM商用脚步

全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)在上周举办的第64届国际电子组件会议(IEDM)上,发表嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。   英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性,并指称这是“首...

分类:业界动态 时间:2018/12/14 阅读:538 关键词:三星英特尔

嵌入式MRAM解决方案正在兴起

全球两大半导体公司上周在第64届国际电子器件会议(IEDM)上展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。   英特尔在其22FFL工艺中描述了基于自旋转移力矩(STT)-MRAM的非易失性存储器...

分类:业界动态 时间:2018/12/13 阅读:544 关键词:嵌入式

英特尔、三星将目光移向了嵌入式MRAM技术

上周,在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。  首先,我们来了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory),它是一种非易失性的磁性随机存储器。拥有静态随机存储器 (SRAM)...

分类:业界动态 时间:2018/12/12 阅读:604 关键词:嵌入式MRAM技术物联网应用

力晶:美国力阻中国发展DRAM内存,明年内存恐缺货涨价

台湾台湾半导体协会昨天举行2018 TSIA年会,邀请了台湾半导体行业内的大腕出席,其中台积电联席CEO魏哲家主持会议,还有联发科董事长蔡明介、联电总经理简山杰、力晶执行长黄崇仁等,其中力晶创始人、执行长黄崇仁谈到了内存产业的一些动向,包括未...

分类:业界动态 时间:2018/11/28 阅读:728 关键词:DRAM内存

DRAM三巨头或遭中国反垄断处罚25亿美元!韩国半导体梦将破灭

随后国家市场监督管理总局反垄断局日前表示已对三星,海力士,美光公司进行反垄断调查。如果被认定存在垄断行为,将面临天价罚款,这一数字或将是每家25亿美元。   SK证券分析师金永佑(KimYoung-woo)表示,在最糟糕的情况下,如果被认定操纵价格...

分类:业界动态 时间:2018/11/22 阅读:523 关键词:DRAM半导体

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