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场效应管MOSFET

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  • 批号:

    1201+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    通信IC

  • 型号/规格:

    FQP5N50C

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    L/功率放大

简介原厂出货FQP5N50C**原装*百原装*价 买家需知备注: 一、质量要求、技术标准、供方对质量负责的条件和限制:供方*所*品*合原厂家产品,如产品经检测确属产品本身质量问题,需方在...

  • 型号/规格:

    2SK1020

  • 品牌/商标:

    富士

  • *类别:

    普通型

富士场效应管 2SK1020 30A 500V TO-*L FMH25N50G 25A 500V TO-* 2SK3520-01MR 9A 500V TO-220F 2SK3451 13A 600V TO-220F 2SK3469-01MR 14A 500V TO-220F 2SK3683-01MR 19A 500V TO-220F FMA08N60G 8A 600V TO-220F-K 2SK3528 21A 600V TO-*F 2SK3548 10A 900...

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    FIR2N60FG

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

深圳市飞扬世纪科技有限公司 地 址:深圳市福田区华强北世纪汇都会轩1214 负责人:吴亮. 传真: 86- E-Mail: 开关电源用MOSFET肖特基常用物料型号/品牌规格代替型号 IRF840,IR8A,500V...

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    BJI-1

  • 材料:

    MES金属半导体

  • 用途:

    MIX/混频

  • 品牌/商标:

    博竟

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

操作是三维可控制,X轴Y轴Z轴,设备为全防护,上下、前后、左右移动控制,箱式带可视窗。 可检测0.1毫米金属颗粒,操作台检测面积可根据要求定制。1.成像器面积为40*40, 20*20, 32*28...

  • 上海博竟实业有限公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:上海上海市
  • 电话:021-60511979

    手机:13916818075

  • 加工定制:

  • 类型:

    晶体管图示仪

  • 品牌/商标:

    杭州

  • 型号/规格:

    WQ4832

  • 电压范围:

    0~500VAC 0.1A(V)

  • 扫频范围:

    AC220V&plu*n;10% 50Hz&plu*n;4%(MHz)

  • 尺寸:

    32×21×40(cm)

  • 电流范围:

    约80VA(功率)(安培)

晶体管/晶体管图示仪/晶体管测试仪/wq4832晶体管图示仪WQ4832晶体管特性图示仪WQ-4832晶体管图示仪WQ 4832集电*扫描信号晶体管测试仪输出电压范围及电流容量0~5V 10A0~10V 5A0~50V...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    K75T60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    硅(Si)

深圳市博创科科技有限公司是化的电子元器件供应商,具有多年的集成电路销售经验,公司以“专注产品,用心服务”为价值,在电子元器件领域上占有全系列型号...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    2N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    唯盛特(VIC)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

唯盛特(VIC)是专注于MOS管,肖特基二*管研发生产和销售的厂家,总部位于台湾,公司多名高管是美国硅谷的高层管理人员和技术人员。现为打开内地市场产品价格优惠,质量保障,*!欢迎...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    BSC030N03LS G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    8-PowerTDFN

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

联系方式:市场部:深圳市福田区振华路高科德电子市场23942室公司:深圳市福田区深南中路南光捷佳大厦914:传真:方先生: 陈: infineon MOSFET场效应管系列:IPP03N03LBG TO-220 07N...

  • 类型:

    晶体管图示仪

  • 扫频范围:

    1(MHz)

  • 型号/规格:

    WQ4835

  • 电流范围:

    200(安培)

  • 尺寸:

    58×33×40(cm)

  • 电压范围:

    500(V)

  • 适用范围:

    晶体管厂家,光伏企业,大专院校等

  • 品牌/商标:

    杭州五强

产品介绍:大功率:集电*电流50A数字存储:本机可以存储10幅图形,也可以通过U*接口无限量存储至电脑。可以保存为特定文件格式,也可以保存为JPG、BMP等图片格式。保存在电脑上的数据...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    4N65

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    士兰微

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

士兰微品牌MOS场效应管: SVF1N60、SVF2N60、SVF4N60、SVF5N60、SVF730、SVF740、 SVF7N60、SVF7N65、SVF830、SVF840、SVF8N60、SVF10N60、 SVF10N65、SVF12N60、SVF12N65、等等。

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 开启电压:

    20(V)

本公司以“*的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量*原装现货和良好的进货渠道,品种*,具有较强的能力为各大客户和厂商进...

  • 批号:

    10+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    放大器

  • 型号/规格:

    IRFP460PBF

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    L/功率放大

深圳市艾力鑫科技有限公司是一家的电子元器件供应商,主要代理和经销各知名电子元器件。一直以来秉持“ 诚信为本,顾客至上,品质为先”的经营理念。竭尽...

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    2N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

*,批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】: 原装,*合欧洲ROHS条例,体积小,重量轻,耐温耐压高, 漏电流和介...

  • 漏*电流:

    32A

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    32N50KPBF

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 用途:

    L/功率放大

  • 沟道类型:

    N沟道

規格書IRFP32N50K產品相片TO-247AC Pkg產品目錄繪圖IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2標準包裝500類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物...

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    AOP610

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

1、供应*产品报价均以*税单价为基准!2、我司可提供含17%增值税! ★付款方式: 1、广东省内可代收货款,长期合作客户为款到发货!2、支持阿里巴巴支付宝交易! ★联系方式:联系人:...

  • 型号/规格:

    RTD2674S RTD2674U

  • 品牌/商标:

    REN*AS/瑞萨

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

1、因市场行情天天在变,价格起伏较大,所以本店所属商品所标价格*是实价(价格以咨询为准),有不对之处请谅解,拍下来前请先联系店主,谢谢配合。本公司IC产品居多,无法一一列上,...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    PHKD6N02LT

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    NXP/恩智浦

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

因为*格波动较大,价格*为参考,实时价格请联系洽谈,欢迎长期合作者。产品原装*,如有不实,包退包换!只要您有实单,只要您出价,我们就会尽力满足您的需求。我们的优势 :我公司长...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    6N60 FQA6N60 STP6N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    6

供应400V47UF 400V56UF 400V68UF 400V82UF 400V100UF 63V470UF LM358 KA3842 LM324 4N60 5N60 6N60 7N60 8N60 9N60 10N60 11N60 12N60安规电容275V0.1UF等电动车充电器等电子元件。&a...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IPP052NE7N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

达誉电子经营TO220、*快恢复,肖特基整流三*管,MOS场效应及2SC、系列高压管,单双向可控硅。我厂拥有完整、科学的质量管理体系,以"诚信守用、质量"的宗...

  • 朱楚洪(个体经营)
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:13502780304

  • 品牌/商标:

    ROHM/罗姆

  • 型号/规格:

    2SK2503-N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 营销方式:

    *

原厂*支持,公司*原装*货,欢迎咨询!我司代理经销ROHM JRC SII UTC AGA *产品:同时我司是CCD监控,数码相框,GPS,车载DVD等周边IC配套商.以下是ROHM产品系列目录:ROHM EEPROM存储器ROHM...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

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