类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2023-05-16 11:24:16 | 259 次阅读
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是采用商用工业栅极驱动器。，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗，并缩小尺寸，减轻重量。基于这些优势，该产品在同类产品中具备领先的效率性能，并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。
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