N沟道MOSFET-电子资讯-维库电子市场网

Toshiba - 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是...

分类：新品快报时间：2023/4/17 阅读：588 关键词：MOSFET

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内zui低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A和SGT80VN沟道MOSFETWNM6008。 WNM...

分类：新品快报时间：2022/6/30 阅读：1954

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通...

分类：新品快报时间：2022/2/24 阅读：450 关键词：Vishay

Vishay推出PowerPAK8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出两款n沟道TrenchFET?MOSFET——60VSiJH600E和80VSiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60VSiJH600E和80VSiJ...

分类：新品快报时间：2022/2/11 阅读：1273

Vishay推出PowerPAK 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET?MOSFET---60VSiJH600E和80VSiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标...

分类：新品快报时间：2022/2/8 阅读：1271

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内水平，提高系统功率密度且节省能源

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用...

分类：新品快报时间：2020/12/14 阅读：1052 关键词：Vishay MOSFET

TOREX - XP231N0201TR（30V耐压）, 低导通电阻，高速开关扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容

特瑞仕半导体株式会社开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。　　此次发售的产品，是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。　　...

分类：名企新闻时间：2020/3/17 阅读：1765 关键词：MOSFET

TOREX - 低导通电阻，高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。　　此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品...

分类：新品快报时间：2019/6/3 阅读：2427 关键词：MOSFET产品

Linear推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器提供100% 占空比能力

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOSFET 开关，...

分类：新品快报时间：2017/7/12 阅读：404 关键词：Linear

凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器

ADI旗下凌力尔特公司 (LinearTechnology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道MOSFET驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOSFET 开...

分类：新品快报时间：2017/6/12 阅读：380 关键词：凌力尔特驱动器

凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器，提供100%占空比能力

ADI旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOSFET...

分类：新品快报时间：2017/6/8 阅读：443 关键词：凌力尔特

东芝推出适用于移动设备中负载开关的业界低导通电阻N沟道MOSFET

东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出适用于智能手机和平板电脑等移动设备中的负载开关的N沟道MOSFET，该产品实现了业界的1]低导通电阻。新产品出货即日启动。新产品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514

分类：新品快报时间：2016/10/22 阅读：730 关键词：MOSFET

Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

不久前VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布600VEF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。VishaySiliconixSiHx