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场效应管MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

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所在地区
源头工厂
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*CS2N60B4D 华晶600V场效应管 原装现货
*CS2N60B4D 华晶600V场效应管 原装现货
  • 类型：

    驱动IC

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 型号/规格：

    CS2N60B4D

  • 功率：

    1W

  • 驱动芯片类型：

    MOS

  • 针脚数：

    3

  • 用途：

    *

  • 封装：

    TO251

本公司一家从事销售国内外知名品牌电子元器件和接插件产品、提供*EMC及安规解决方案以及拥有自营进出口权的大型综合性通路商。公司在创立之始就秉承不变的理念：致力于提供技术*、性...

厂家直接销售03N60 质优价廉 欢迎咨询 合作
厂家直接销售03N60 质优价廉 欢迎咨询 合作
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    03N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

商行从2001年起从事电子元器件的批发销售，主营拆机二、三*管兼营IC集成。商铺位于广东汕头经济特区潮南区陈店镇东风二路173号地处国道324线，与中国规模的电子元器件拆解基地(贵屿镇...

原装旧件批发电子元器件1N60场效应管，如有需要欢迎来电询
原装旧件批发电子元器件1N60场效应管，如有需要欢迎来电询
  • 品牌/商标：

    *国产

  • 型号/规格：

    1n60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

深圳市龙岗区平湖华永业电子配件经营部是电子元器件、场效应管、电解电容、电源管IC、三*管、二*管、整流桥堆、安规电容、涤纶电容等产品生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体...

IRG4P*0FD (600V,27A)拍下请先通过旺旺咨询准确价格和数量
IRG4P*0FD (600V,27A)拍下请先通过旺旺咨询准确价格和数量
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4P*0FD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

深圳弘城信电子经营部为实体店的网络销售部。 主要经营电子元器件。坚持实物拍摄各位买家*。我们坚持销售掌柜在线可加联系：温馨提示：推荐使用“购物车”...

阿里库存IRF740PBF 场效应管 *原装现货
阿里库存IRF740PBF 场效应管 *原装现货
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF740PBF

  • 封装形式：

    TO-220

【温馨小贴示】 1、网店产品单价及运费为参考价！2、拍前需与店主联系、价格以询价为准、确认当天报价！3、如需*或收据请提前说明、我公司所报价格均*税！4、*商品原装现货、质量100%*、如对产品质量检测有问题、请在收货三天内通知、不剪脚、不焊锡上机的情...

热卖IRLR3103TRPBF IR原装 专营IR/ON原装场效应管 *
热卖IRLR3103TRPBF IR原装 专营IR/ON原装场效应管 *
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRLR3103TRPBF

  • 沟道类型：

    其他

  • 类型：

    其他IC

  • 批号：

    2012+

  • 封装：

    TO-252

本公司是一家多元化电子元器件供应商，拥有庞大的供销网络和完善的服务系统。和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理销售机构建立了良好的合作关系,一手货源，价格*。公司本着以质为...

长期大量NEC小功率晶体管 贴片NPN管2SD1006
长期大量NEC小功率晶体管 贴片NPN管2SD1006
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    NEC/日本电气

  • 型号/规格：

    2SD1006

  • 封装：

    SOT-89

  • 批号：

    13+

  • 击穿电压VCBO：

    N

  • 集电*允许电流ICM：

    N

  • 截止频率fT：

    N

众多电子行业者都在采购商品及交流信息时，都希望找一个讲究信誉、质量*、货源充足、价格合理、信息灵活的合作伙伴，深圳市港华达电子是阁下*的选择。本公司挤身电子行业十多年来，坚...

场效应管 IPP65R110CFD 65F6110
场效应管 IPP65R110CFD 65F6110
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IPP65R110CFD,TO-220,DIP/MOS,N场,650V,31.2A,,0.11Ω

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IPP65R110CFD,TO-220,DIP/MOS,N场,650V,31.2A,,0.11Ω 650V场效应管（MOSFET）STK0765BF TO-220F AUK DIP/MOS N场 650V 7A 1.6ΩSTK0765BP TO-220 AUK DIP...

2SK3789 场效应管,原装*拆机件，质量包好
2SK3789 场效应管,原装*拆机件，质量包好
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3789

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品说明:---------------------------------------【产品型号】：2SK3789【生产厂家】：富士通【封装型式】：TO-*F--------------------------------------- 用途说明:MOS管 150V 92...

中国高频功率晶体管市场投资考察专题（2013-2018年预测版）
中国高频功率晶体管市场投资考察专题（2013-2018年预测版）
  • 调研方式：

    实地

  • 市场范围：

    *

中国高频功率晶体管市场投资考察专题（2013-2018年预测版）【关 键 词】 高频功率晶体管【格式】 印刷版/电子版【交付方式】 特快专递/E-MAIL【价格】 印刷版：6800元 电子版：7000元 印刷+电子：8500元【订购】 【QQ 咨 询】3 此为多用户，如果您有更多需求，我们会重新修订研究框架，并做出合理的报价。 【 目录 】 章 20...

【*经销】MOS管子SI2311DS-T1-E3 原装*
【*经销】MOS管子SI2311DS-T1-E3 原装*
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SI2311DS-T1-E3

  • 沟道类型：

    其他

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • *性：

    NPN型

  • 结构：

    平面型

  • 封装材料：

    塑料封装

大量原装*现货,欢迎随询惠顾！深圳市博瑞电子有限公司---代理经销: 叠层、绕线电感（0201 、0402、0603、0805、1206、1210、1812） 叠层磁珠（0201 、0402、0603、0805、1206、1210、...

场效应管8N60
场效应管8N60
  • 品牌/商标：

    DE

  • 型号/规格：

    8N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

该产品用于*DC与DC转换器、开关电源、电视机、显示器。 特点：漏电电压高、导通电阻小、栅电荷少、开关时间短等特点"

* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
  • 音响类别：

    功放

  • 品牌/商标：

    NEWJOMO/新尊宝

  • 型号/规格：

    NE-09S

  • 货号：

    NE-09S

  • 功放类型：

    HIFI功放

  • 失真率：

    小于0.1（%）

  • 信噪比：

    89（db）

  • 阻*：

    4~8（Ω）

温馨提示：本店所售出的*产品均不包含运费，设置包邮是为了方便买家进行付款操作。拍下并付款后，我们会有专人与您联系，谢谢您的信赖和支持。 感谢您对本公司的支持和信任，我们更可...

【华强实体店】贴片大电流场场效应管 IRFR1205/FR1205
【华强实体店】贴片大电流场场效应管 IRFR1205/FR1205
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFR1205TRPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package 应用： "

场效应管AP9575H SOT-252封装
场效应管AP9575H SOT-252封装
  • 品牌/商标：

    台湾 富鼎

  • 型号/规格：

    AP9575H

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MAP/匹配对管

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

你好！本产品是*原装，价实物优；质量*；长期备有大量现货；以当天报价为准；量大价格另议。欢迎来电 传真或QQ咨询；谢谢您的光临；真诚期待与您合作！！! 全系列均可 样品 批量 出售...

现货国产场效应管IRF540 TO-220 *产品
现货国产场效应管IRF540 TO-220 *产品
  • 品牌/商标：

    国产IR

  • 型号/规格：

    IRF540

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

现货供应场效应管系列，*厂货，*产品，质量*，欢迎广大客户来电洽谈： 吴

MOS管2N60场效应管
MOS管2N60场效应管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    2N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

详细介绍 双*型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双*型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输...

达林顿管 BSP50 深圳公司现货
达林顿管 BSP50 深圳公司现货
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    BSP50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 击穿电压VCBO：

    1.8V

类别:NPN达林顿管型号:BSP50电流:1A电压:45V功率:1.5W频率:200MHZ封装:SOT-223包装量:1000PCS品牌:英飞凌

IR场效应管原装IRFBC30PBF 大功率场效应管
IR场效应管原装IRFBC30PBF 大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFBC30PBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 类型：

    其他IC

【主推】IR，ST场效应管(MOSFET)强势库存，优势价格IRL2203N，IRFD120，IRF7313，IRF7314，IRL3803S，IRLML2502，IRLML6302，IRFR120N，IRFR220N，IRFR9024N，IRF530N，IRF5305，IRF5...

TPC8206 SOP8 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(U-MOSII)
TPC8206 SOP8 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(U-MOSII)
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    TPC8206

  • 功率：

    1

  • 用途：

    遥控

  • 封装：

    SOP8

  • 批号：

    12+

  • 属性：

    属性值

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(U-MOSII)PDF:http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/94811/TOSHIBA/TPC8206.html 买家需知： 一.关于*. 1．订单≤100可开普通*6% 2...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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