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场效应管MOSFET

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  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    2N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

贴片直插二三*管,电容,电阻,等系列元器件,品牌有:三星、东芝、ST/意法、ON/安森美、*童、JST/韩国、国*、华新、风华、禾申堂、村田、TDK、太诱等知名品牌。所经营产品为原装新品...

  • 影音配件种类:

    麦克风/话筒

  • 品牌/商标:

    鼎安电子

  • 型号/规格:

    B-25头戴式麦克风

  • 单体结构:

    电容式

  • 接收方式:

    无线

  • 指向性:

    单指向性

  • 制造组件:

    晶体管

  • 阻*:

    680

B-25头戴式麦克风 ★舒适自然,适合长时间佩戴★牢固*,*震动,*拉。无机械噪声★有各式输出插头供选择适用于各种腰包扩音机、教学扩音机、无线机、各种扩音机。可选用插头:可选用线...

  • 品牌/商标:

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格:

    RJH60F4DPK

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

温馨提示:1.产品图片为形象图片,以实物为准;2.根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!3.产品参数为非人士填写,请以数据为准 本公司经营电源IC.场效应.快恢復...

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    中信达

  • 型号/规格:

    9610A

  • 重量:

    15(Kg)

  • 产品用途:

    MOS场效应管测试仪

  • 规格:

    MOS管测试仪

一、概述 JK9610A型MOS管测试仪,是一种新颖的全数字显示式MOS管参数测试装置,可用于标称 电流约在2-85A,功率在300W以内的N沟导和P沟导MOS管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    IRF540N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

买家*读:●以上报价为批量价格,购买样品的客户请与店主联系再拍,谢谢!数量越多,价格越优惠。●本店只负责商品的销售,不提供商品的技术支持,所以请那些不懂得怎么使用的客户买...

  • 深圳市源楷晟电子
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 83148806

  • 影音配件种类:

    麦克风/话筒

  • 品牌/商标:

    晋新

  • 单体结构:

    电容式

  • 指向性:

    全指向性

  • 制造组件:

    晶体管

  • 供应商类型:

    自主生产厂商

车站窗口对讲机JXC-M6:1、产品概述: JXC-M6型对讲机是一种适用于封闭式营业窗口进行语音双向对讲通信的免提对讲电子系统,它使用美国的语音处理芯片,加上*的结构设计,能在音质、音...

  • 应用范围:

    时间

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    DHC1

  • 产品系列:

    DHC1

  • 触点负载:

    *率

  • 触点切换电流:

    /

  • 触点切换电压:

    /

  • 触点形式:

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1:1997 电 源 AC220V (50Hz) 触点电寿命 ≥1×105...

  • 品牌/商标:

    *童

  • 型号/规格:

    FFPF10UP60STU

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

专营品牌IC及二三*管:NXP 、Allegro、Infineon、ST、JRC、ON、TOSHIBA、Fairchild、SanyoAKE、Honeywell、Sanken等各*,电机驱动芯片(有直流电机驱动IC:、步进电机驱动IC:、直流无刷...

  • 类型:

    电源模块

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 型号/规格:

    TLE4925C-N

  • 功率:

    100W

  • 封装:

    PG-SSO-3-9

  • 批号:

    12+

三*管 场效应管TLE4925C-N QQ 霍尔传感器弘民电子主营中小功率三*管,场效应管,电源稳压IC, 汽车保护FET INFINEON汽车ABS传感器TLE4941PLUSC 封装有SOT-89 SOT-223 SOT-252 SOT-263 ...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IPF9540N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

代理经销:IR(国际整流器),我司将一直本着“求真务实”的精*为客户提供周到*的服务,为客户节约成本,帮客户*利润的水平来答谢广大客户的一贯支持!&am...

  • 品牌/商标:

    CJ/CS

  • 型号/规格:

    8205

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

场效应管MOSFET 8205A SOT-23-6 8205B SOT-23-6 FS8205A TSSOP-8 FS8205B TSSOP-8 CS8810 TSSOP-8 CS8814 TSSOP-8 CS8301C TSSOP-8 CS8302D TSSOP-8 CS2011E/CS2010E,CS2008E,CS2006E...

  • 品牌/商标:

    OB昂宝

  • 型号/规格:

    OB2269

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    其他IC

型号品牌封装数量年份包装货源日期OB2269APOB昻宝DIP02012-1-13OB2269CCPAOB昂宝SOP2-2-14 本经营业部在深圳市福田区华强北高科德二楼有实体店面22909,店名为:华宝。批发*售兼营,*...

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    6N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60,质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!产品介绍:6N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET,...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IPD50N06S2-14

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

DatasheetsIPx034N06L3 GProduct PhotosTO-220-3Catalog DrawingsMOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package500CategoryDiscrete Semiconductor ProductsFamilyFETs - SingleSerie...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    FF150R12KS4

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    *肖特基势垒栅

FF150R12KS4半桥(2单元),150A,1200V62mm*原装。如果需要FF150R12KS4 资料请与我们联系!更多其它产品》》》FF150R12KT3G半桥(2单元),150A,1200V62mmFF150R12ME3G半桥(2单元)...

  • 调研方式:

    实地调研、市场重点区域监测、抽样调研与各界平台合作等

  • 市场范围:

    产品、上下游产业链、企业、技术、发展前景、区域监测等

2014-2019年中国场效应晶体管市场动态监测及竞争战略研究【联-系-人】*老师【编号】zjqx-DLH【订购】/【咨询】【交付方式】EMS/E-MAIL【格式】WORD 版+PDF 格式+精美装订印刷版(致电咨询)【订购电邮】 【企业网址】http://www.gtdcbgw.com,http://www.bjzjqx.com目录部分 行业发展现状章 场效应晶体管简介节 场效应晶体...

  • 品牌/商标:

    Federick美国

  • 型号/规格:

    FQU2N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

MOS场效应管系列产品:1N60(1A/600V)FQU1N60C;1A,600V;TO-251FQD1N60C;1A,600V;TO-2522N60(2A/600V)FQU2N60C;2A,600V;TO-251FQD2N60C;2A,600V;TO-252FQP2N60C;2A,600V;TO-220ABFQPF2N6...

  • 加工定制:

  • 型号/规格:

    3M8810

  • 基材:

    丙烯酸和陶瓷聚合物

  • 厚度:

    0.25(mm)

  • 颜色:

    乳白

  • 长期耐温性:

    90-100(℃)

  • 适用范围:

    粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。

  • 品牌/商标:

    3M

品牌:3M型号:3M8810 基材:丙烯酸和陶瓷聚合物厚度:0.25(mm) 适用范围:粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。宽度:5mm-55...

  • 厚度:

    0.25

  • 基材:

    丙烯酸和陶瓷聚合物

  • 加工定制:

  • 宽度:

    5mm-550mm

  • 品牌/商标:

    3M

  • 适用范围:

    粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。

  • 颜色:

    乳白

  • 型号/规格:

    8810

温馨提示:图片,价格,产品属性*供参考,不作交易价格,具体以实物为准,欢迎来电咨询! 型号: 8805 厚度 0.13(mm) 规格:550*100(mm)导热系数:0.6 基材:丙烯酸和陶瓷聚合物 ...

  • 厚度:

    0.15

  • 基材:

    丙烯酸和陶瓷聚合物

  • 加工定制:

  • 宽度:

    5mm-550mm

  • 品牌/商标:

    圣泽

  • 适用范围:

    粘接散热片,散热器和其他集成电路封装,大功率晶体管的冷却装置。以及其他产生热量的组件。

  • 颜色:

    乳白

  • 型号/规格:

    H-150B

导热双面胶导热双面胶是由压克力聚合物填充导热陶瓷粉末,与*硅胶粘剂复合而成。具有高导热和*缘的特性,并具有柔软性、压缩性、服帖性、强粘性。适应温度范围大,可填补不平整的表面...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

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